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a) 원자층 침착 반응기에 니켈 원을 공급하여 기질 위에 니켈 원을 흡착시키는 단계, b) 반응하지 않은 니켈 원과 반응 부산물을 원자층 침착 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, c) 원자층 침착 반응기에 산소 원을 공급하여 니켈 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계 및 d) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 원자층 침착 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 1 항에서, 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드를 니켈 원으로 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 2 항에서, 화학식 1에서 m이 1 또는 2임을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 1 항에서, 니켈 원으로 염화니켈(NiCl2), Ni(acac)2 (acac = 아세틸아세토네이토), Ni(tmhd)2 (tmhd = 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토), Ni(dmg)2 (dmg = 디메틸글리옥시메이토), Ni(apo)2 (apo = 2-아미노-펜트-2-엔-4-오네이토) 중에서 한 화합물을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 3 항에서, 산소 원으로 물, 산소, 오존, 또는 산소 플라스마를 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 5 항에서, 산소 원으로 물을 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 2 항에서, 공급되는 니켈 원의 온도를 실온 내지 120 ℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 2 항에서, 상기 니켈 산화물 박막의 기질은 실리콘(Si) 웨이퍼, 게르마늄(Ge) 웨이퍼, 탄화규소(SiC) 웨이퍼 또는 유리거나, 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이산화루테늄(RuO2) 또는 인듐 틴 산화물(ITO)으로부터 선택된 박막을 입힌 실리콘(Si) 웨이퍼, 게르마늄(Ge) 웨이퍼, 탄화규소(SiC) 웨이퍼 또는 유리인 것을 특징으로 하는 원자층 침착법을 이용하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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제 8 항에서, 기질의 온도를 80 내지 400 ℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 원자층 침착법을 이용하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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10
제 9 항에서, 기질의 온도를 90 내지 170 ℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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11
제 2항 내지 제 5항의 어느 한 항에서, a) 내지 d) 단계를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법
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12
기질-니켈 산화물-전극 구조로 구성되는 RRAM 소자의 제조에서, 상기 니켈 산화물 박막을 원자층 침착법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자의 제조 방법
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13
제 12 항에서, 니켈 산화물 박막을 제 1 항 내지 제 10 항에 따른 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자의 제조 방법
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제 13 항에서, 전극을 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 인듐 틴 산화물(indium tin oxide), 이산화루테늄(RuO2) 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 RRAM 소자의 제조 방법
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