반응온도인 600∼1300℃까지 한쌍 또는 다수쌍의 규소심봉 또는 규소박판(11)에 직접 통전하여 가열시킨 후, 반도체 재료의 기체상 화합물을 공급시켜 고순도 규소(6)를 제조하는 방법에 있어서, 초단파 가열장치(21)의 초단파를 이용하여 한쌍의 또는 다수쌍의 규소심봉 또는 규소박판(11)을 일정온도까지 예열시킨 후, 규소심봉 또는 규소박판(11)에 직접 전류를 공급하며 600~1300℃의 반응온도까지 가열시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 초단파의 주파수가 915MHz 또는 2450MHz인 것이 특징인 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

제1항에 있어서, 고순도 규소심봉 또는 규소박판(11)을 500∼900℃로 예열시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

종형 반응기벽(2)과 수냉금속판(3)으로 구성한 반응기본체(1)의 내부에 한쌍 또는 다수쌍의 반도체 규소심봉 또는 규소박판(11)을 설치하여 고순도 규소(6)를 제조하는 것에 있어서, 상기 종형 반응기벽(2)의 상부에 투명한 석영재의 원판 (15),(16)을 이중으로 설치하여, 상기 원판 (15),(16)의 사이로 냉각매체가 유입 및 유출되게 냉각매체 입·출구(17),(18)를 설치하고, 그 원판(15)의 상부에 초단파 가열장치(21)를 설치하여 초단파 발생장치(19)에서 발생된 초단파에 의해 규소심봉 또는 규소박판(11)을 예열시키도록 구성한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

제4항에 있어서, 초단파에 의해 고순도 규소심봉 또는 박판이 예열되면 초단파 가열장치(21)를 분리시켜 그 위치에 연마된 금속판(25)을 설치하여 되는 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법