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가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140669
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 단결정 실리콘을 회로 구동 소자 및 화소 소자의 제조에 사용한 가요성을 갖는 고해상도(high resolution)의 가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 나노 SOI 단결정 웨이퍼를 사용하여 미세한 디자인 룰이 적용될 수 있는 반도체 공정으로 구동 회로 소자부와 화소 어레이부 등을 형성한 후 웨이퍼의 하부면을 식각하여 가요성 기판으로 제조한 가요성 표시 장치와 같은 가요성 전기 광학 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 가요성 전기 광학 장치는 가요성 단결정 위에 전자 소자가 형성되는 소자형성층을 포함하는 가요성 하부 기판부와, 상기의 하부 기판부에 대향하여 설치되는 가요성 상부 기판부와, 상기의 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 배치된 전기 광학적 물질층을 포함한다. 또한, 본 발명의 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법은 상부면에 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 하부 기판부의 하부면을 제거하여 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함한다. 나노 SOI, 단결정, 웨이퍼, 식각, 고해상도, LCD, 가요성 표시 장치, 광학 장치
Int. CL G02F 1/1362 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01)
CPC G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01)
출원번호/일자 1020030027824 (2003.04.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0569202-0000 (2006.04.03)
공개번호/일자 10-2004-0093948 (2004.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.30)
심사청구항수 42

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 서울 강동구
2 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0157541-11
2 대리인 사임 신고서
Notification of resignation of agent
2004.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0090773-37
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification
2004.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0121653-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0341303-05
5 의견서
Written Opinion
2005.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0523297-85
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0523296-39
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0005722-17
8 등록결정서
Decision to grant
2006.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0010078-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
가요성 단결정 실리콘 혹은 가요성 단결정 화합물 반도체 위에 전자 소자가 형성되는 소자형성층을 포함하는 가요성 하부 기판부와, 상기의 하부 기판부에 대향하여 설치되는 가요성 상부 기판부와, 상기의 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 배치된 전기 광학적 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 가요성 단결정은 나노 SOI층인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 나노 SOI층의 두께는 20 내지 400 nm인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
4 4
삭제
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 기판부는 가요성 투명 기판, 전극 및 가요성 편광판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 편광판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 투명 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
8 8
제6항에 있어서, 상기 소자형성층은 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 반사판은 화소 전극으로 기능하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 화소 전극은 Al 등의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
11 11
제5항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 편광판 및 가요성 백 라이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
12 12
제5항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 투명 기판, 가요성 편광판 및 가요성 백라이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
13 13
제5항에 있어서, 상기 소자형성층에는 컬러 필터가 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
14 14
제5항에 있어서, 반도체 포토 리소그라피 공정에 의해 컬럼 스페이서가 상기 소자형성층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
15 15
제5항에 있어서, 상기 소자형성층은 유기질의 층간 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
16 16
제5항에 있어서, 상기 전자 소자는 화소 어레이부와 구동 회로 소자부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
17 17
제16항에 있어서, 상기 화소 어레이부는 크기가 300 내지 1000 ppi이상인 화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
18 18
제16항에 있어서, 상기 구동 회로 소자부는 게이트 구동 소자와 데이터 구동 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
19 19
제16항에 있어서, 상기 전자 소자의 게이트 전극은 폴리 실리콘, 금속, 금속 실리콘 화합물 혹은 금속/폴리 실리콘 이중층인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
20 20
제5항에 있어서, 상기 전자 소자의 소자간 절연은 STI(shallow trench isolation) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
21 21
제5항에 있어서, 상기 전자 소자는 LDD(lightly doped-drain) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
22 22
제11항에 있어서, 상기 소자형성층에는 컬러 필터가 일체로 형성되고, 반도체 포토 리소그라피 공정에 의해 컬럼 스페이서가 상기 소자형성층 위에 형성되고, 상기 소자형성층은 유기질의 층간 절연막을 포함하고, 상기 전자 소자는 화소 어레이부와 구동 회로 소자부를 포함하고, 상기 구동 회로 소자부는 게이트 구동 소자와 데이터 구동 소자를 포함하고, 게이트 전극은 폴리 실리콘, 금속, 금속 실리콘 화합물 혹은 금속/폴리 실리콘 이중층인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치
23 23
상부면에 실리콘 혹은 화합물 반도체 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 하부 기판부의 하부면을 제거하여 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 하부 기판부 상의 단결정층은 SOI 제조 공정에 의해 제조된 나노 SOI 단결정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 SOI 제조 공정에 있어서 상기 하부 기판부는 높은 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
26 26
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 반도체 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
27 27
제26항에 있어서, 상기 반도체 공정은 0
28 28
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 상기 단결정층 위에 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계와, 상기 TFT 어레이와 주변구동회로소자 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 위에 TFT와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상부에 패턴된 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 화소 전극 및 컬러필터의 상부에 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
29 29
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 상기 단결정층 위에 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계와, 상기 TFT 어레이와 주변구동회로소자 상부에 TFT와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 전극의 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상부에 패턴된 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 화소 전극 및 컬러필터의 상부에 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
30 30
제28항에 있어서, 상기 컬러필터를 형성하는 단계 후에 두께 보상용 투명 유기물을 컬러 필터 전체면에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
31 31
제28항에 있어서, 상기 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계 후에 TFT 소자부의 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
32 32
제28항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 반도체 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
33 33
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 가요성 투명 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
34 34
제28항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 가요성 투명 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
35 35
제34항에 있어서, 상기 상부 보조 기판을 제거하는 단계는 UV를 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
36 36
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 투명한 가요성 플라스틱 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계와 상기 전극 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
37 37
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
38 38
제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 일부를 습식 식각하고 식각되지 않은 나머지 부분은 커팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
39 39
제37항에 있어서, 습식식각은 KOH를 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
40 40
제38항에 있어서, 습식식각은 KOH를 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
41 41
제34항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
42 42
제34항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 일부를 습식 식각하고 식각되지 않은 나머지 부분은 커팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
43 43
제32항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 투명한 가요성 플라스틱 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 KOH를 이용하여 습식 식각하는 단계와 상부 보조 기판을 UV로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
44 43
제32항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 투명한 가요성 플라스틱 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 KOH를 이용하여 습식 식각하는 단계와 상부 보조 기판을 UV로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01751788 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01751788 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01751789 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP01751789 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP04814873 JP 일본 FAMILY
6 JP04959552 JP 일본 FAMILY
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10 KR100583429 KR 대한민국 FAMILY
11 US07592239 US 미국 FAMILY
12 US20040217423 US 미국 FAMILY
13 US20040218133 US 미국 FAMILY
14 WO2005106933 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
15 WO2005106934 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 CN101027753 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 CN1957445 CN 중국 DOCDBFAMILY
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6 JP2007535809 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP4814873 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP4959552 JP 일본 DOCDBFAMILY
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10 US2004218133 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US7592239 US 미국 DOCDBFAMILY
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