요약 | 본 발명은 반도체 단결정 실리콘을 회로 구동 소자 및 화소 소자의 제조에 사용한 가요성을 갖는 고해상도(high resolution)의 가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 나노 SOI 단결정 웨이퍼를 사용하여 미세한 디자인 룰이 적용될 수 있는 반도체 공정으로 구동 회로 소자부와 화소 어레이부 등을 형성한 후 웨이퍼의 하부면을 식각하여 가요성 기판으로 제조한 가요성 표시 장치와 같은 가요성 전기 광학 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 가요성 전기 광학 장치는 가요성 단결정 위에 전자 소자가 형성되는 소자형성층을 포함하는 가요성 하부 기판부와, 상기의 하부 기판부에 대향하여 설치되는 가요성 상부 기판부와, 상기의 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 배치된 전기 광학적 물질층을 포함한다. 또한, 본 발명의 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법은 상부면에 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 하부 기판부의 하부면을 제거하여 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함한다. 나노 SOI, 단결정, 웨이퍼, 식각, 고해상도, LCD, 가요성 표시 장치, 광학 장치 |
---|---|
Int. CL | G02F 1/1362 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01) |
CPC | G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020030027824 (2003.04.30) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0569202-0000 (2006.04.03) |
공개번호/일자 | 10-2004-0093948 (2004.11.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20060407) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 보정승인간주 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2003.04.30) |
심사청구항수 | 42 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박종완 | 대한민국 | 서울 강동구 |
2 | 박재근 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 남승희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2003.04.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2003-0157541-11 |
2 | 대리인 사임 신고서 Notification of resignation of agent |
2004.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0090773-37 |
3 | 대리인 변경 신고서 Agent change Notification |
2004.03.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0121653-84 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2005.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0341303-05 |
5 | 의견서 Written Opinion |
2005.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0523297-85 |
6 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2005.09.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2005-0523296-39 |
7 | 출원인변경신고서 Applicant change Notification |
2006.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0005722-17 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.01.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0010078-86 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 가요성 단결정 실리콘 혹은 가요성 단결정 화합물 반도체 위에 전자 소자가 형성되는 소자형성층을 포함하는 가요성 하부 기판부와, 상기의 하부 기판부에 대향하여 설치되는 가요성 상부 기판부와, 상기의 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 배치된 전기 광학적 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 가요성 단결정은 나노 SOI층인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
3 |
3 제2항에 있어서, 상기 나노 SOI층의 두께는 20 내지 400 nm인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 기판부는 가요성 투명 기판, 전극 및 가요성 편광판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 편광판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
7 |
7 제6항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 투명 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
8 |
8 제6항에 있어서, 상기 소자형성층은 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 반사판은 화소 전극으로 기능하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
10 |
10 제9항에 있어서, 상기 화소 전극은 Al 등의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
11 |
11 제5항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 편광판 및 가요성 백 라이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
12 |
12 제5항에 있어서, 상기 하부 기판부는 가요성 투명 기판, 가요성 편광판 및 가요성 백라이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
13 |
13 제5항에 있어서, 상기 소자형성층에는 컬러 필터가 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
14 |
14 제5항에 있어서, 반도체 포토 리소그라피 공정에 의해 컬럼 스페이서가 상기 소자형성층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
15 |
15 제5항에 있어서, 상기 소자형성층은 유기질의 층간 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
16 |
16 제5항에 있어서, 상기 전자 소자는 화소 어레이부와 구동 회로 소자부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
17 |
17 제16항에 있어서, 상기 화소 어레이부는 크기가 300 내지 1000 ppi이상인 화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
18 |
18 제16항에 있어서, 상기 구동 회로 소자부는 게이트 구동 소자와 데이터 구동 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
19 |
19 제16항에 있어서, 상기 전자 소자의 게이트 전극은 폴리 실리콘, 금속, 금속 실리콘 화합물 혹은 금속/폴리 실리콘 이중층인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
20 |
20 제5항에 있어서, 상기 전자 소자의 소자간 절연은 STI(shallow trench isolation) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
21 |
21 제5항에 있어서, 상기 전자 소자는 LDD(lightly doped-drain) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
22 |
22 제11항에 있어서, 상기 소자형성층에는 컬러 필터가 일체로 형성되고, 반도체 포토 리소그라피 공정에 의해 컬럼 스페이서가 상기 소자형성층 위에 형성되고, 상기 소자형성층은 유기질의 층간 절연막을 포함하고, 상기 전자 소자는 화소 어레이부와 구동 회로 소자부를 포함하고, 상기 구동 회로 소자부는 게이트 구동 소자와 데이터 구동 소자를 포함하고, 게이트 전극은 폴리 실리콘, 금속, 금속 실리콘 화합물 혹은 금속/폴리 실리콘 이중층인 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치 |
23 |
23 상부면에 실리콘 혹은 화합물 반도체 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 하부 기판부의 하부면을 제거하여 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
24 |
24 제23항에 있어서, 상기 하부 기판부 상의 단결정층은 SOI 제조 공정에 의해 제조된 나노 SOI 단결정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
25 |
25 제24항에 있어서, 상기 SOI 제조 공정에 있어서 상기 하부 기판부는 높은 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
26 |
26 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 반도체 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
27 |
27 제26항에 있어서, 상기 반도체 공정은 0 |
28 |
28 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 상기 단결정층 위에 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계와, 상기 TFT 어레이와 주변구동회로소자 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 위에 TFT와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상부에 패턴된 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 화소 전극 및 컬러필터의 상부에 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
29 |
29 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 상기 단결정층 위에 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계와, 상기 TFT 어레이와 주변구동회로소자 상부에 TFT와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 전극의 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상부에 패턴된 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 화소 전극 및 컬러필터의 상부에 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
30 |
30 제28항에 있어서, 상기 컬러필터를 형성하는 단계 후에 두께 보상용 투명 유기물을 컬러 필터 전체면에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
31 |
31 제28항에 있어서, 상기 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계 후에 TFT 소자부의 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
32 |
32 제28항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 반도체 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
33 |
33 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 가요성 투명 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
34 |
34 제28항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 가요성 투명 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
35 |
35 제34항에 있어서, 상기 상부 보조 기판을 제거하는 단계는 UV를 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
36 |
36 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 투명한 가요성 플라스틱 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계와 상기 전극 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
37 |
37 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
38 |
38 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 일부를 습식 식각하고 식각되지 않은 나머지 부분은 커팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
39 |
39 제37항에 있어서, 습식식각은 KOH를 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
40 |
40 제38항에 있어서, 습식식각은 KOH를 이용하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
41 |
41 제34항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
42 |
42 제34항에 있어서, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 일부를 습식 식각하고 식각되지 않은 나머지 부분은 커팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
43 |
43 제32항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 투명한 가요성 플라스틱 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 KOH를 이용하여 습식 식각하는 단계와 상부 보조 기판을 UV로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
44 |
43 제32항에 있어서, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 투명한 가요성 플라스틱 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면의 전체를 KOH를 이용하여 습식 식각하는 단계와 상부 보조 기판을 UV로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | EP01751788 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
2 | EP01751788 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
3 | EP01751789 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
4 | EP01751789 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
5 | JP04814873 | JP | 일본 | FAMILY |
6 | JP04959552 | JP | 일본 | FAMILY |
7 | JP19534996 | JP | 일본 | FAMILY |
8 | JP19535809 | JP | 일본 | FAMILY |
9 | KR100547237 | KR | 대한민국 | FAMILY |
10 | KR100583429 | KR | 대한민국 | FAMILY |
11 | US07592239 | US | 미국 | FAMILY |
12 | US20040217423 | US | 미국 | FAMILY |
13 | US20040218133 | US | 미국 | FAMILY |
14 | WO2005106933 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
15 | WO2005106934 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN100481327 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN100481328 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | CN101027753 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
4 | CN1957445 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
5 | JP2007534996 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
6 | JP2007535809 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
7 | JP4814873 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
8 | JP4959552 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
9 | US2004217423 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
10 | US2004218133 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
11 | US7592239 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0569202-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20030430 출원 번호 : 1020030027824 공고 연월일 : 20060407 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060109 청구범위의 항수 : 42 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,174,500 원 | 2006년 04월 04일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 964,000 원 | 2009년 03월 25일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 964,000 원 | 2010년 03월 30일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 964,000 원 | 2011년 04월 04일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,696,000 원 | 2012년 03월 30일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,696,000 원 | 2013년 03월 29일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 1,696,000 원 | 2014년 04월 01일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 2,550,000 원 | 2015년 03월 30일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 2,550,000 원 | 2016년 04월 04일 | 납입 |
제 12 년분 | 금 액 | 2,550,000 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
제 13 년분 | 금 액 | 2,670,000 원 | 2018년 04월 03일 | 납입 |
제 14 년분 | 금 액 | 1,335,000 원 | 2019년 04월 02일 | 납입 |
제 15 년분 | 금 액 | 1,335,000 원 | 2020년 03월 30일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2003.04.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2003-0157541-11 |
2 | 대리인 사임 신고서 | 2004.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0090773-37 |
3 | 대리인 변경 신고서 | 2004.03.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0121653-84 |
4 | 의견제출통지서 | 2005.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0341303-05 |
5 | 의견서 | 2005.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0523297-85 |
6 | 명세서등보정서 | 2005.09.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2005-0523296-39 |
7 | 출원인변경신고서 | 2006.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0005722-17 |
8 | 등록결정서 | 2006.01.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0010078-86 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1350005096 |
---|---|
세부과제번호 | 2004-04536 |
연구과제명 | 고성능나노SOI공정기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200206~200706 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
[1020060045848] | 반도체 기판 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020060045316] | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020060034199] | 유기 EL 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020050069702] | 에스오아이 웨이퍼의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020050063665] | 연마 입자, 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020050047646] | CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 | 새창보기 |
[1020030032841] | 단결정 가요성 필름 및 가요성 전기 광학 장치의 제조방법, 이를 제조하는 장치 | 새창보기 |
[1020030027825] | 가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020030027824] | 가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016017872][한양대학교] | 아연 산질화물을 포함하는 박막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터(thin film comprising Zinc oxynitride, method of fabricating the same, and transistor comprising the same) | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2014040400][한양대학교] | 위상지연층을 구비하는 액정표시 장치 및 상기 위상지연층 형성 방법 | 새창보기 |
[KST2014060212][한양대학교] | 향상된 전하 이동도를 가지는 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015140602][한양대학교] | 티에프티-엘씨디 패널 구동회로 및 그 구동방법 | 새창보기 |
[KST2015228716][한양대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법(Method of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor) | 새창보기 |
[KST2018011150][한양대학교] | 자가치유 트랜지스터 및 트랜지스터의 자가치유 방법 | 새창보기 |
[KST2018015297][한양대학교] | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2019000731][한양대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014059922][한양대학교] | N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 | 새창보기 |
[KST2015140742][한양대학교] | 액정표시장치의 게이트 라인 및 데이터 라인 공유 회로 및이의 구동방법 | 새창보기 |
[KST2015141357][한양대학교] | 나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015141390][한양대학교] | 싸이클로펜타디싸이오펜 기반의 중합체 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 | 새창보기 |
[KST2015141578][한양대학교] | 미세 구조체를 가지는 유기 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2017006262][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor, and the method of fabricating the same) | 새창보기 |
[KST2016018861][한양대학교] | 인듐 및 주석의 산화물을 포함하는 박막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터(Thin film comprising Indium Tin Oxide(ITO), method of fabricating the same, and transistor comprising the same) | 새창보기 |
[KST2019000729][한양대학교] | 반도체 박막, 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2014043258][한양대학교] | 산화아연계 반도체 박막의 제조방법, 이를 이용한 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014047755][한양대학교] | 에피택셜 성장 방법 | 새창보기 |
[KST2015141443][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015141658][한양대학교] | 산화물 반도체층을 갖는 박막트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2017007110][한양대학교] | 투명 활성층, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 그 제조 방법(Transparent active layer, thin film transistor comprising the same, and method of fabricating of the thin film transistor) | 새창보기 |
[KST2016008051][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor, and method of fabricating the same) | 새창보기 |
[KST2017012726][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2014047514][한양대학교] | 다층 구조의 게이트 절연체를 포함하는 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015141284][한양대학교] | 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016008052][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor and method of fabricating the same) | 새창보기 |
[KST2014047753][한양대학교] | 투명하고 플렉서블한 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 및이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015141909][한양대학교] | 게르마늄 응축 공정을 이용한 기판 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015142179][한양대학교] | 금속 및 칼코겐을 포함하는 박막의 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2016009160][한양대학교] | p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체(Method of manufacturing p-type semiconductor oxide and p-type semiconductor oxide) | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|