맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019000731
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고절연성의 금속 산화물 박막을 형성하고 수소 플라즈마 처리를 통하여 선택적으로 활성 영역 및 도전 영역을 형성함으로써 제조된 다양한 구조의 금속 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 게이트 전극 영역, 소오스-드레인 전극 영역, 게이트 절연막 및 활성 영역을 모두 동일한 금속 원소 조성을 갖는 금속 산화물로 제조함으로써, 접촉 저항, 금속의 산화, 계면 결함 등의 문제를 해결할 수 있다. 또한, 하나의 기판 상에 여러 개의 박막 트랜지스터를 제조하는 경우 고절연성의 금속 산화물 박막에 의하여 각각의 박막 트랜지스터가 절연되어 소자의 분리를 위한 추가적인 에칭 공정이 불필요하다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020170096796 (2017.07.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0012974 (2019.02.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.31)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이승백 대한민국 서울특별시 강남구
2 이정수 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0735693-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0044295-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0688117-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1231198-20
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1231197-85
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0272466-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;게이트 전극 영역 및 이의 양측에 배치된 제1 절연 영역들을 구비하고 상기 게이트 전극 영역 및 상기 제1 절연 영역들은 동일한 조성비를 갖는 금속의 산화물이되 상기 제1 절연 영역들보다 상기 게이트 전극 영역의 수소 농도가 높고, 상기 게이트 전극 영역의 상부면과 상기 제1 절연 영역들의 상부면들은 상기 기판과 평행한 동일 평면 내에 위치하고, 상기 게이트 전극 영역의 하부면과 상기 제1 절연 영역들의 하부면들은 상기 기판과 평행한 동일 평면 내에 위치하는 게이트 전극 산화물층;상기 게이트 전극 산화물층에 인접하는 게이트 절연 산화물층; 및상기 게이트 절연 산화물층이 상기 게이트 전극 산화물층에 인접하는 면의 반대 면에 인접하고, 활성 영역, 이의 양측에 배치된 제2 절연 영역들, 상기 활성 영역과 상기 제2 절연 영역들 중 하나 사이에 배치되는 소오스 전극 영역, 및 상기 활성 영역과 상기 제2 절연 영역들 중 다른 하나 사이에 배치되는 드레인 전극 영역을 구비하고, 상기 활성 영역, 상기 소오스 전극 영역, 상기 드레인 전극 영역, 및 상기 제2 절연 영역들은 동일한 조성비를 갖는 금속의 산화물이되, 상기 제2 절연 영역들보다 상기 활성 영역의 수소 농도가 높고, 상기 활성 영역보다 상기 소오스 전극 영역 및 상기 드레인 전극 영역의 수소 농도가 높고, 상기 활성 영역의 상부면, 상기 소오스 전극 영역의 상부면, 상기 드레인 전극 영역의 상부면, 및 상기 제2 절연영역들의 상부면들은 상기 기판과 평행한 동일 평면 내에 위치하고, 상기 활성 영역의 하부면, 상기 소오스 전극 영역의 하부면, 상기 드레인 전극 영역의 하부면, 및 상기 제2 절연영역들의 하부면들은 상기 기판과 평행한 동일 평면 내에 위치하는 활성 산화물층을 포함하고,상기 게이트 전극 산화물층, 상기 게이트 절연 산화물층 및 상기 활성 산화물층은 상기 기판과 평행하게 배치되는 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 전극 산화물층 또는 상기 활성 산화물층에서,상기 금속의 산화물은 인듐, 아연, 갈륨, 알루미늄, 철, 주석, 마그네슘, 칼슘, 또는 그의 혼합물의 산화물인 박막 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 게이트 전극 산화물층, 상기 게이트 절연 산화물층 및 상기 활성 산화물층은 동일한 금속 원소들의 산화물인 박막 트랜지스터
6 6
기판 상에 제1 절연 금속 산화물 박막을 적층하고, 상기 제1 절연 금속 산화물 박막 내의 일부 영역을 선택적으로 수소 플라즈마 처리하여 게이트 전극 영역을 형성하는 동시에 상기 게이트 전극 영역 양측의 제1 절연 영역들을 정의하여 상기 게이트 전극 영역 및 이의 양측에 배치된 상기 제1 절연 영역들을 갖는 게이트 전극 산화물층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 산화물층 상에 제2 절연 금속 산화물 박막을 적층하여 게이트 절연 산화물층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연 산화물층 상에 제3 절연 금속 산화물 박막을 적층하고, 상기 제3 절연 금속 산화물 박막 내의 일부 영역을 선택적으로 수소 플라즈마 처리하여 활성 영역을 형성하는 동시에 활성 영역 양측의 제2 절연 영역들을 정의하고, 상기 활성 영역과 상기 제2 절연 영역들이 접하는 일부 영역들을 선택적으로 수소 플라즈마 처리하여 소오스 전극 영역 및 드레인 전극 영역을 형성하여, 상기 활성 영역, 이의 양측에 배치된 상기 제2 절연 영역들, 및 상기 활성 영역과 상기 제2 절연 영역들 사이에 배치되는 소오스 전극 영역 및 드레인 전극 영역을 갖는 활성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
기판 상에 제1 절연 금속 산화물 박막을 적층하고 상기 제1 절연 금속 산화물 박막 내의 일부 영역을 선택적으로 수소 플라즈마 처리하여 활성 영역을 형성하는 동시에 활성 영역 양측의 제1 절연 영역들을 정의하고, 상기 활성 영역과 상기 제1 절연 영역들이 접하는 일부 영역을 선택적으로 수소 플라즈마 처리하여 소오스 전극 영역 및 드레인 전극 영역을 형성하여, 상기 활성 영역, 이의 양측에 배치된 상기 제1 절연 영역들, 및 상기 활성 영역과 상기 제1 절연 영역들 사이에 배치되는 소오스 전극 영역 및 드레인 전극 영역을 갖는 활성 산화물층을 형성하는 단계상기 활성 산화물층 상에 제2 절연 금속 산화물 박막을 적층하여 게이트 절연 산화물층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연 산화물층 상에 제3 절연 금속 산화물 박막을 적층하고 상기 제3 절연 금속 산화물 박막 내의 일부 영역을 선택적으로 수소 플라즈마 처리하여 게이트 전극 영역을 형성하는 동시에 상기 게이트 전극 영역 양측의 제2 절연 영역들을 정의하여 상기 게이트 전극 영역 및 이의 양측에 배치된 상기 제2 절연 영역들을 갖는 게이트 전극 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 나노소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 2차원 소재를 이용한 적층소자의 집적화 기술 개발