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산화아연계 반도체 박막의 제조방법, 이를 이용한 박막트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014043258
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연계 반도체 박막의 제조방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 산소 분위기에서 기판에 산화아연계 박막을 형성하는 단계; 상기 산화아연계 박막을 급속 열처리하는 단계; 및 상기 산화아연계 박막에 이온빔을 조사하는 단계를 포함하는 산화아연계 반도체 박막의 제조방법과, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 방법을 통해 채널층의 전기적 특성과 계면 특성 변화를 통해 박막 트랜지스터의 특성을 향상시켜, 저온 공정과 높은 이동도 특성이 요구되는 유기 발광 다이오드나 대면적의 액정 표시장치 등의 박막 트랜지스터로 바람직하게 적용이 가능하다. 반도체, 박막 트랜지스터, 채널층, 계면 특성, 전기적 특성
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020080066972 (2008.07.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1033955-0000 (2011.05.02)
공개번호/일자 10-2010-0006832 (2010.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.10)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기도 남양주시
2 문대용 대한민국 서울특별시 성동구
3 문연건 대한민국 서울특별시 광진구 동일로길 - (군
4 이시 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0497268-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2010-0034271-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0266867-02
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0536675-07
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0536681-71
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0604760-55
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.03.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0008947-55
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0207071-94
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0289027-48
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0289018-37
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0233599-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산소 분위기에서 기판에 산화아연계 박막을 형성하는 단계; 상기 산화아연계 박막을 100∼1000℃에서 1초∼600초 동안 급속 열처리하는 단계; 및 상기 급속 열처리한 산화아연계 박막에 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 ZnO, ZnSnO, 또는 InGaZnO를 포함하는 것인 산화아연계 반도체 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 스퍼터링, 진공증착, 이온도금, 이온빔 증착, 화학기상증착(CVD), 또는 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) 중에서 선택된 1종의 방법으로 형성하는 것인 산화아연계 반도체 박막의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 급속 열처리는 불활성 분위기에서 수행하는 것인 산화아연계 반도체 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 이온빔은 1H, 7Li, 16O, 28Si, 52Cr, 56Fe, 또는 58Ni 중에서 선택된 1종을 사용하는 것인 산화아연계 반도체 박막의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 산화아연계 반도체 박막은 비저항이 1X103 Ω·cm 내지 1X105 Ω·cm인 것인 산화아연계 반도체 박막의 제조방법
9 9
산화아연계 반도체 채널과; 상기 반도체 채널의 양측에 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 채널에 전계를 형성하는 게이트; 및, 상기 게이트와 채널의 사이에 개재되는 게이트 절연층;을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 산화아연계 반도체 채널은 산소 분위기에서 기판에 산화아연계 박막을 형성하는 단계; 상기 산화아연계 박막을 100∼1000℃에서 1초∼600초 동안 급속 열처리하는 단계; 및 상기 급속 열처리한 산화아연계 박막에 0
10 10
제9항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 ZnO, ZnSnO, 또는 InGaZnO를 포함하는 것인 산화아연계 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 스퍼터링, 진공증착, 이온도금, 이온빔 증착, 화학기상증착(CVD), 또는 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) 중에서 선택된 1종의 방법으로 형성하는 것인 산화아연계 박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제9항에 있어서, 상기 급속 열처리는 불활성 분위기에서 수행하는 것인 산화아연계 박막 트랜지스터의 제조방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 이온빔은 1H, 7Li, 16O, 28Si, 52Cr, 56Fe, 또는 58Ni 중에서 선택된 1종을 사용하는 것인 산화아연계 박막 트랜지스터의 제조방법
15 15
삭제
16 16
제9항에 있어서, 상기 이온빔은 소스 전극 및 드레인 전극 상에 마스크를 위치시켜 소스 전극 및 드레인 전극 영역을 제외한 산화아연계 박막에 선택적으로 조사하는 것인 산화아연계 박막 트랜지스터의 제조방법
17 17
제9항의 제조방법에 의해 제조된 산화아연계 반도체 채널을 구비한 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국과학재단 원자력연구기반확충사업 이온빔 조사를 이용한 산화아연기반의 박막트랜지스터용채널층 물질 개발에 관한 연구