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아연 산질화물을 포함하는 박막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터(thin film comprising Zinc oxynitride, method of fabricating the same, and transistor comprising the same)

  • 기술번호 : KST2016017872
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연 산질화물을 포함하는 박막의 제조 방법이 설명된다. 상기 박막의 제조 방법은, 챔버 내에 기판, 및 아연을 포함하는 소스를 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내에, 산소 가스 및 질소 가스를 제공하여, 상기 기판 상에 아연 산질화물(Zinc oxynitride)을 포함하는 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 산소 가스 및 상기 질소 가스의 합에 대한 상기 산소 가스의 비율은, 0.0147보다 크고, 0.0566보다 작을 수 있다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020150045866 (2015.04.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0118396 (2016.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기 성남시 분당구
2 정현준 대한민국 경기도 고양시 일산서구
3 옥경철 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0317955-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2015-0080859-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0596344-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1013966-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1013984-74
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0071437-17
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.02.28 수리 (Accepted) 7-1-2017-0008278-36
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0322921-89
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.04.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0322923-70
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0259402-84
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0557540-31
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0667387-43
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0667386-08
15 [참고자료]정보제출서
[Reference] Written Submission of Information
2017.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1128649-92
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0812795-73
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내에 기판, 및 아연을 포함하는 소스를 준비하는 단계; 및상기 챔버 내에, 산소 가스 및 질소 가스를 제공하는 방법으로, 상기 아연을 포함하는 소스, 상기 산소 가스, 및 상기 질소 가스를 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)방법으로 반응시켜, 상기 기판 상에 아연 산질화물(Zinc oxynitride)을 포함하는 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 산소 가스 및 상기 질소 가스의 합에 대한 상기 산소 가스의 비율은, 0
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 산소 가스 및 상기 질소 가스의 합에 대한 상기 산소 가스의 비율이 0
4 4
산소의 함량이 26
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제4 항에 따른 트랜지스터의 활성층;상기 활성층 상의 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 및 상기 활성층 사이의 게이트 절연막을 포함하는 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.