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단결정 가요성 필름 및 가요성 전기 광학 장치의 제조방법, 이를 제조하는 장치

  • 기술번호 : KST2015140678
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 단결정 웨이퍼로부터 제조된 단결정 가요성 필름 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 즉, 베이스 웨이퍼, 매몰 절연막 및 단결정층으로 구성된 SOI 웨이퍼를 여러 가지 웨이퍼 박형화 기술로 박형화하여 원하는 두께의 단결정 가요성 필름으로 제조한다. 본 발명은 반도체 단결정 실리콘을 회로 구동 소자 및 화소 소자의 제조에 사용한 가요성을 갖는 고해상도(high resolution)의 가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 나노 SOI 단결정 웨이퍼를 사용하여 미세한 디자인 룰이 적용될 수 있는 반도체 공정으로 구동 회로 소자부와 화소 어레이부 등을 형성한 후 웨이퍼의 하부면을 식각하여 가요성 기판으로 제조한 가요성 표시 장치와 같은 가요성 전기 광학 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. 단결정 가요성 필름, SOI 웨이퍼, 웨이퍼 박형화, 식각, 나노 SOI, 단결정, 웨이퍼, 식각, 고해상도, LCD, 가요성 표시 장치, 광학 장치, 그라인딩, 지그
Int. CL H01L 21/762 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76256(2013.01) H01L 21/76256(2013.01) H01L 21/76256(2013.01)
출원번호/일자 1020030032841 (2003.05.23)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0547237-0000 (2006.01.20)
공개번호/일자 10-2004-0100469 (2004.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20060126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.23)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 서울 강동구
2 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0183461-11
2 대리인 사임 신고서
Notification of resignation of agent		 2004.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0094803-13
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0121706-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0009153-50
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0341894-55
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0523279-63
8 의견서
Written Opinion		 2005.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0523280-10
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0540224-53
10 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0005722-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
베이스 웨이퍼와, 상기 베이스 웨이퍼의 상부면에 형성된 매몰 절연막과, 상기 매몰 절연막 위에 형성된 단결정층을 포함하는 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계와,보조지지 웨이퍼를 상기 SOI 웨이퍼의 상부면에 결합하는 단계와상기 베이스 웨이퍼 후면을 일정 두께 이하로 그라인딩 하는 단계와, 상기 보조지지 웨이퍼를 제거하는 단계와, 상기 남은 베이스 웨이퍼의 후면이 노출되도록 지그로 SOI 웨이퍼를 고정하는 단계와, 그라인딩 후 남은 베이스 웨이퍼의 후면을 습식 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
3 3
베이스 웨이퍼와, 상기 베이스 웨이퍼의 상부면에 형성된 매몰 절연막과, 상기 매몰 절연막 위에 형성된 단결정층을 포함하는 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계와,보조지지 웨이퍼를 상기 SOI 웨이퍼의 상부면에 결합하는 단계와,상기 베이스 웨이퍼 후면을 일정 두께 이하로 그라인딩하는 단계와, 상기 남은 베이스 웨이퍼의 후면이 노출되도록 지그로 SOI 웨이퍼를 고정하는 단계와, 그라인딩 후 남은 베이스 웨이퍼의 후면을 습식 식각하여 제거하는 단계와, 상기 보조지지 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
4 4
베이스 웨이퍼와, 상기 베이스 웨이퍼의 상부면에 형성된 매몰 절연막과, 상기 매몰 절연막 위에 형성된 단결정층을 포함하는 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계와, 베이스 웨이퍼 후면을 일정 두께 이하로 그라인딩하는 단계와, 상기 남은 베이스 웨이퍼의 후면이 노출되도록 지그로 SOI 웨이퍼를 고정하는 단계와, 그라인딩 후 남은 베이스 웨이퍼의 후면을 습식 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 그라인딩 전에 SOI 상부면에 보호절연막을 형성하는 단계를 포함하고 그라인딩 후에 남은 베이스 웨이퍼의 두께는 150 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 베이스 웨이퍼를 제거한 후 매몰 절연막 및 보호 절연막의 전부 또는 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
7 7
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지그로 SOI 웨이퍼를 고정하는 단계는 SOI 웨이퍼의 에지를 지그로 잡아서 상기 남은 베이스 웨이퍼 후면 전체가 노출되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
8 8
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지그로 SOI 웨이퍼를 고정하는 단계는 SOI 웨이퍼의 주변부를 지그로 잡아서 베이스 웨이퍼 후면의 일부가 노출되도록 하는 단계를 포함하고, 상기 습식 식각하는 단계 후에 지그로 잡았던 주변부를 절단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
9 9
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 베이스 웨이퍼를 제거한 후에 매몰 절연막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
10 10
제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, SOI 웨이퍼에 보조지지 웨이퍼를 결합하기 전에 SOI 웨이퍼의 상부면에 보호 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
11 11
제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 보조지지 웨이퍼를 SOI 웨이퍼의 상부면에 결합하는 단계는 SOI 웨이퍼 최상부 위에 왁스를 코팅하는 단계와, SOI 웨이퍼와 보조지지 웨이퍼를 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
12 12
제10항에 있어서, 보조지지 웨이퍼를 SOI 웨이퍼의 상부면에 결합하는 단계는 보호 절연막 위에 왁스를 코팅하는 단계와, SOI 웨이퍼와 보조지지 웨이퍼를 결합하는 단계를 포함하고, 베이스 웨이퍼 및 보조지지 웨이퍼를 제거한 후에는 매몰 절연막 및 보호 절연막의 모두 또는 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
13 13
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 습식 식각은 KOH로 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정 가요성 필름 제조 방법
14 14
상부면에 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 상부 보조 기판을 포함하는 투명한 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면을 소정 두께까지 그라인딩하는 단계와, 상기 상부 보조 기판을 제거하는 단계와, 상기 그라인딩 후 남은 하부 기판부의 잔여 하부 후면을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
15 15
상부면에 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 상부 보조 기판을 포함하는 투명한 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 하부 기판부의 하부면을 소정 두께까지 그라인딩하는 단계와, 상기 그라인딩 후 남은 하부 기판부의 잔여 하부 후면을 제거하는 단계와, 상기 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
16 16
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 그라인딩 후 남은 하부 기판부의 하부 후면을 제거하는 단계는 합착된 하부 기판부와 상부 기판부의 에지를 지그로 잡아서 상기 하부 기판부의 잔여 하부 후면 전체가 노출되도록 하는 단계와 잔여 하부 후면을 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
17 17
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 그라인딩 후 남은 하부 기판부의 하부 후면을 제거하는 단계는 합착된 하부 및 상부 기판부의 주변부를 지그로 잡아서 상기 하부 기판부의 잔여 하부 후면의 일부가 노출되도록 하는 단계와, 잔여 하부 후면을 습식 식각하는 단계와, 지그로 잡았던 주변부를 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 습식 식각은 KOH로 수행하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 습식 식각은 KOH로 수행하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
20 20
상부면에 단결정층을 포함하는 하부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 단결정층 위에 전자 소자를 포함하는 소자형성층을 형성하는 단계와, 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부를 합착하는 단계와, 상기 하부 기판부와 상부 기판부 사이에 전기 광학적 물질을 주입하는 단계와, 상기 하부 기판부의 하부면을 제거하여 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계를 포함하고,상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상기 합착된 하부 및 상부 기판부의 주변부를 지그로 잡아서 상기 하부 기판부의 하부면의 일부가 노출되도록 하는 단계와, 상기 하부면의 일부를 식각하는 단계와, 지그로 잡았던 주변부를 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 하부 기판부 상의 단결정층은 SOI 제조 공정에 의해 제조된 나노 SOI 단결정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
22 22
제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 소자형성층을 형성하는 단계는 상기 단결정층 위에 TFT 어레이와 주변구동회로소자를 동시에 형성하는 단계와, 상기TFT 어레이와 주변구동회로소자 상부에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 위에 TFT와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상부에 패턴된 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 화소 전극 및 컬러필터의 상부에 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 투명한 가요성 상부 기판부를 제조하는 단계는 가요성 투명 기판의 한 면에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 배향막을 형성하는 단계와 상기 전극이 형성되지 않은 타면에 접착필름을 사용하여 상부 보조 기판을 부착하는 단계를 포함하고, 상기 합착된 하부 기판부와 상부 기판부에 가요성을 부여하는 단계는 상부 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 전기 광학 장치의 제조 방법
23 23
하부 플레이트와, 관통 개구가 형성된 상부 플레이트와, 이들을 합착하기 위한 고정 수단을 포함하고, 기판이 상기 하부 플레이트와 상부 플레이트 사이에 위치될 때, 상기 상부 플레이트의 관통 개구는 기판의 식각 처리될 부분이 상기 관통 개구에 노출되도록 구성되고, 상기 기판과 관통 개구는 밀봉되고, 상기 관통 개구를 통하여 식각 용액이 공급되는 것을 특징으로 하는 식각용 지그
24 24
제23항에 있어서, 상기 상부 플레이트에는 식각 용액을 담기 위한 용기를 포함하고, 상기 용기는 관통 개구와 연통하는 것을 특징으로 하는 식각용 지그
25 25
제24항에 있어서, 상기 용기에는 히터와 온도계를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각용 지그
26 25
제24항에 있어서, 상기 용기에는 히터와 온도계를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각용 지그
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