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고분자 탄성 중합체로 되는 특정 패턴의 형판과, 광촉매 물질로 되는 박막층이 코팅된 박막층 기판을 각각 제조하는 형판 및 박막층 기판의 제조 단계와;상기 형판과 상기 기판을 정렬하여 접촉시키고 이에 광을 조사하여 상호 접착시키는 정렬 및 접착 단계와;상기 접착된 형판의 일부를 상기 기판으로부터 분리해내어 상기 특정 패턴을 상기 기판에 전사하는 전사 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 광촉매 물질은 TiO2, ZnO, Nb2O5, WO3, SnO2, ZrO2, SrTiO3, KTaO3, Ni-K4N6O17, CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe2, WSe2 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 탄성 중합체는 PDMS, 폴리이미드계 고분자 물질, 폴리우레탄계 고분자 물질, 플로로카본계 고분자 물질, 아크릴계 고분자 물질, 폴리아닐린계 고분자 물질, 폴리에스테르계 고분자 물질, 폴리실리콘계 고분자 물질 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 형판 및 박막층 기판의 제조 단계는 상기 박막층 기판을 RTA(Rapid Thermal Annealing)로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제4항에 있어서,상기 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도범위로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제2항에 있어서,상기 광촉매 물질이 TiO2로 되는 경우에는 상기 TiO2는 Anatase 구조, Rutile 구조 또는 이들 구조가 혼합된 결정 구조 중의 적어도 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 광은 주파장이 290nm 내지 500nm 범위의 근자외선이나 가시광선으로 되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제7항에 있어서,상기 광을 조사하는 시간은 20분 내지 60분으로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 특정 패턴의 형판은 소정의 웨이퍼를 마스킹하고 이를 식각하여 마스터를 형성하는 단계와;상기 마스터의 상부에 고분자 탄성 중합체를 부어 경화시키는 단계와;상기 경화된 고분자 탄성 중합체를 상기 마스터로부터 분리해내는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제9항에 있어서,상기 마스터는 PR/Si3N4/Si층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 박막층이 코팅된 기판은 스퍼터링, 이베포레이션, 화학기상법, 원자층 증착법 중의 적어도 어느 하나에 의하여 박막층이 코팅되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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고분자 탄성 중합체로 되고 미세패턴을 지니는 형판을 소정의 기판과 상호 접착한 후 상기 기판을 상기 형판으로부터 분리해내어 전사하는 미세패턴 형성방법에 있어서,상기 접착은 상기 기판이 광촉매 물질로 코팅되어 상기 기판과 상기 형판의 접촉부에 근자외선 또는 가시광선을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법
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