요약 | 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로는, 스트로브 지연 코드에 응답하여 데이터 스트로브 클럭의 위상을 제어하여 지연 스트로브 클럭을 생성하는 데이터 스트로브 클럭 위상 제어부, 각각의 데이터 지연 코드에 응답하여 각각의 입력 데이터의 위상을 제어하여 각각의 지연 데이터를 생성하는 복수 개의 데이터 위상 제어부, 상기 지연 스트로브 클럭에 응답하여 각각의 지연 데이터를 래치하여 각각의 래치 데이터와 정렬 데이터를 생성하는 복수 개의 데이터 정렬부, 및 상기 래치 데이터 복수 개의 위상을 판별하는 동작을 수행하여 상기 스트로브 지연 코드와 상기 복수 개의 데이터 지연 코드를 생성하는 지연 코드 생성부를 포함한다. 반도체 메모리 장치, 데이터 정렬, 데이터 스트로브 클럭 |
---|---|
Int. CL | G11C 8/00 (2006.01.01) G11C 7/10 (2015.01.01) G11C 7/22 (2015.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020090058502 (2009.06.29) |
출원인 | 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1003155-0000 (2010.12.15) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20101222) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.06.29) |
심사청구항수 | 20 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 정춘석 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
2 | 박기덕 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
3 | 유창식 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
4 | 이장우 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
5 | 김홍중 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김성남 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.06.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0395709-28 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2009.07.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0045262-40 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0424161-89 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.10.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.11.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0068467-60 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0548591-32 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5073964-60 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5270171-92 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5055330-26 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 스트로브 지연 코드에 응답하여 데이터 스트로브 클럭의 위상을 제어하여 지연 스트로브 클럭을 생성하는 데이터 스트로브 클럭 위상 제어부; 각각의 데이터 지연 코드에 응답하여 각각의 입력 데이터의 위상을 제어하여 각각의 지연 데이터를 생성하는 복수 개의 데이터 위상 제어부; 상기 지연 스트로브 클럭에 응답하여 각각의 지연 데이터를 래치하여 각각의 래치 데이터와 정렬 데이터를 생성하는 복수 개의 데이터 정렬부; 및 상기 래치 데이터 복수 개의 위상을 판별하는 동작을 수행하여 상기 스트로브 지연 코드와 상기 복수 개의 데이터 지연 코드를 생성하는 지연 코드 생성부; 를 포함하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 스트로브 클럭 위상 제어부는, 상기 스트로브 지연 코드를 저장하는 레지스터; 및 상기 레지스터로부터 전달되는 상기 스트로브 지연 코드에 응답하여 상기 데이터 스트로브 클럭을 지연시켜 상기 지연 스트로브 클럭을 출력하는 지연 라인; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 복수 개의 데이터 위상 제어부 각각은, 상기 각각의 데이터 지연 코드 중 해당 데이터 지연 코드를 저장하는 레지스터; 및 상기 레지스터로부터 전달되는 상기 데이터 지연 코드에 응답하여 상기 입력 데이터 중 해당 입력 데이터를 지연시켜 상기 각각의 지연 데이터 중 해당 지연 데이터를 출력하는 지연 라인; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 복수 개의 데이터 정렬부 각각은, 상기 지연 스트로브 클럭의 라이징 에지 타임과 폴링 에지 타임에, 상기 각각의 지연 데이터 중 해당 지연 데이터의 각 비트를 래치하여 두 비트의 상기 정렬 데이터를 출력하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 지연 코드 생성부는, 상기 복수 개의 래치 데이터를 입력 받아, 그 중에서 가장 위상이 늦는 데이터의 위상 정보를 추출하여 상기 스트로브 지연 코드를 생성하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 지연 코드 생성부는, 상기 스트로브 지연 코드의 생성 동작이 완료된 후, 상기 지연 스트로브 클럭의 위상을 기준으로 하여 상기 복수 개의 래치 데이터 각각의 위상이 얼만큼 앞서는지에 대한 정보들을 추출하고, 이들을 상기 복수 개의 데이터 지연 코드로서 출력하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 지연 코드 생성부는, 상기 지연 스트로브 클럭에 응답하여 카운팅 동작을 수행하여 복수 개의 동작 구간 신호를 생성하는 카운터; 상기 복수 개의 래치 데이터를 입력 받아 스트로브 위상 판별 신호를 생성하는 위상 판별부; 상기 복수 개의 동작 구간 신호에 응답하여 상기 스트로브 위상 판별 신호 및 상기 복수 개의 래치 데이터를 하나씩 순차적으로 통과시키는 제 1 먹스; 상기 복수 개의 동작 구간 신호 및 상기 지연 스트로브 클럭에 응답하여 상기 제 1 먹스로부터 전달되는 신호의 논리값에 대응되는 복수 비트의 디지털 코드를 생성하는 코드 생성부; 및 상기 복수 개의 동작 구간 신호에 응답하여 상기 복수 비트의 디지털 코드를 상기 스트로브 지연 코드 및 상기 복수 개의 데이터 지연 코드로서 순차적으로 출력하는 제 2 먹스; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 코드 생성부는 축차 비교형 카운터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
9 |
9 복수 개의 데이터를 입력 받아, 가장 위상이 늦는 데이터의 위상 정보를 추출하여 스트로브 지연 코드로서 출력하는 지연 코드 생성부; 상기 스트로브 지연 코드에 응답하여 데이터 스트로브 클럭의 위상을 제어하여 지연 스트로브 클럭을 생성하는 데이터 스트로브 클럭 위상 제어부; 및 상기 지연 스트로브 클럭을 이용하여 데이터 래치 동작을 각각 수행하여 상기 복수 개의 데이터를 출력하고, 상기 복수 개의 데이터에 대한 데이터 정렬 동작을 각각 수행하는 복수 개의 데이터 정렬부; 를 포함하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 지연 코드 생성부는, 상기 스트로브 지연 코드의 생성 동작이 완료된 후, 상기 지연 스트로브 클럭의 위상을 기준으로 하여 상기 복수 개의 데이터 각각의 위상이 얼만큼 앞서는지에 대한 정보들을 추출하고, 이들을 복수 개의 데이터 지연 코드로서 출력하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 복수 개의 데이터 지연 코드 각각에 응답하여 각각의 입력 데이터의 위상을 제어하는 복수 개의 데이터 위상 제어부;를 추가로 포함하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 지연 코드 생성부는, 상기 지연 스트로브 클럭에 응답하여 카운팅 동작을 수행하여 복수 개의 동작 구간 신호를 생성하는 카운터; 상기 복수 개의 데이터를 입력 받아 스트로브 위상 판별 신호를 생성하는 위상 판별부; 상기 복수 개의 동작 구간 신호에 응답하여 상기 스트로브 위상 판별 신호 및 상기 복수 개의 데이터를 하나씩 순차적으로 통과시키는 제 1 먹스; 상기 복수 개의 동작 구간 신호 및 상기 지연 스트로브 클럭에 응답하여 상기 제 1 먹스로부터 전달되는 신호의 논리값에 대응되는 복수 비트의 디지털 코드를 생성하는 코드 생성부; 및 상기 복수 개의 동작 구간 신호에 응답하여 상기 복수 비트의 디지털 코드를 상기 스트로브 지연 코드 및 상기 복수 개의 데이터 지연 코드로서 순차적으로 출력하는 제 2 먹스; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 코드 생성부는, 상기 제 1 먹스로부터 전달되는 신호가 제 1 논리값을 가지면 상기 디지털 코드의 논리값을 감소시키고, 상기 제 1 먹스로부터 전달되는 신호가 제 2 논리값을 가지면 상기 디지털 코드의 논리값을 증가시키도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 코드 생성부는 축차 비교형 카운터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
15 |
15 제 9 항에 있어서, 상기 데이터 스트로브 클럭 위상 제어부는, 상기 스트로브 지연 코드를 저장하는 레지스터; 및 상기 레지스터로부터 전달되는 상기 스트로브 지연 코드에 응답하여 상기 데이터 스트로브 클럭을 지연시켜 상기 지연 스트로브 클럭을 출력하는 지연 라인; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
16 |
16 제 11 항에 있어서, 상기 복수 개의 데이터 정렬부 각각은, 상기 지연 스트로브 클럭의 라이징 에지 타임과 폴링 에지 타임에, 상기 복수 개의 데이터 위상 제어부 중 어느 하나로부터 전달되는 데이터의 각 비트를 래치하는 동작을 수행하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 |
17 |
17 a) 복수 개의 입력 데이터의 위상을 판별하여 가장 위상이 늦는 데이터의 위상 정보를 추출하는 단계; b) 상기 추출된 위상 정보를 이용하여 데이터 스트로브 클럭을 지연시켜 상기 가장 위상이 늦는 데이터에 동기시키는 단계; 및 c) 상기 위상 조정된 데이터 스트로브 클럭과 같은 위상을 갖도록 상기 복수 개의 입력 데이터를 한 개씩 순차적으로 지연시키는 단계; 를 포함하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 방법 |
18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 a) 단계는, 상기 복수 개의 입력 데이터를 상기 데이터 스트로브 클럭에 동기하여 각각 래치한 후, 래치된 신호들을 낸드 조합하고, 이를 통해 생성되는 신호의 레벨에 응답하여 스트로브 지연 코드를 생성하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 방법 |
19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 b) 단계는, 상기 스트로브 지연 코드에 응답하여 상기 데이터 스트로브 클럭을 지연시키되, 상기 낸드 조합에 의해 생성되는 신호의 레벨이 천이하는 시점까지 지연 동작을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 방법 |
20 |
20 제 17 항에 있어서, 상기 c) 단계는, 상기 복수 개의 입력 데이터를 상기 위상 조정된 데이터 스트로브 클럭에 동기하여 각각 래치한 후, 래치된 신호들을 낸드 조합하고, 이를 통해 생성되는 신호의 레벨에 응답하여 각 입력 데이터를 지연시키되, 상기 낸드 조합에 의해 생성되는 신호의 레벨이 천이하는 시점까지 지연 동작을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN101937704 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | JP23008903 | JP | 일본 | FAMILY |
3 | US08072822 | US | 미국 | FAMILY |
4 | US20100329040 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN101937704 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | JP2011008903 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
3 | US2010329040 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
4 | US8072822 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1003155-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20090629 출원 번호 : 1020090058502 공고 연월일 : 20101222 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101130 청구범위의 항수 : 20 유별 : G11C 8/00 발명의 명칭 : 반도체 메모리 장치의 데이터 정렬 회로 및 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시... |
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 825,000 원 | 2010년 12월 15일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2013년 11월 22일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2014년 11월 26일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2015년 11월 20일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 860,000 원 | 2016년 11월 25일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 860,000 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 860,000 원 | 2018년 11월 26일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 1,340,000 원 | 2019년 11월 25일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 1,340,000 원 | 2020년 11월 24일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.06.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0395709-28 |
2 | 보정요구서 | 2009.07.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0045262-40 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0424161-89 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.10.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2010.11.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0068467-60 |
6 | 등록결정서 | 2010.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0548591-32 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5073964-60 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5270171-92 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5055330-26 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345136343 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1612 |
연구과제명 | 수요지향적정보기술전문인력양성사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415099001 |
---|---|
세부과제번호 | C1090-0902-0033 |
연구과제명 | SDR기술연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신산업진흥원 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200208~201012 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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