맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저전력 고속 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2014007751
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력 고속 반도체 소자에 관한 것으로서, 서브쓰레숄드(subthreshold)에서 동작하는 반도체 소자에서 소자의 몸체전압을 슬립모드(sleep-mode) 구조로 조절하여 소자의 문턱전압(threshold voltage)을 조절함으로써 보통은 높은 문턱전압 상태에 있다가 버스트모드(burst mode) 동작 시 문턱전압을 낮추어 서브쓰레숄드 드레인 전류를 지수 함수적으로 증가시켜 에너지 소모를 증가시키지 않고 높은 속도를 얻을 수 있는 이점이 있다. 초저전력, 고속, 몸체전압, 문턱전압, threshold, 슬립모드, 버스트모드, subthreshold, sleep mode, bust mode, ultra low power,
Int. CL G11C 7/22 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01)
CPC H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01) H03K 19/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020050067138 (2005.07.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0667956-0000 (2007.01.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.25)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강용훈 대한민국 대전 유성구
2 홍성철 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0402271-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0036215-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0382713-40
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0601694-40
6 의견서
Written Opinion		 2006.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0601660-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0779980-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서브쓰레숄드에서 동작하는 전원전압과 반도체소자의 몸체전압을 직접 연결하고 슬립모드 신호를 통해 상기 전원전압을 선택적으로 인가하여 상기 몸체전압이 슬립모드 구조로 온/오프 조절되도록 구성함으로써 문턱전압을 조절하고 상기 슬립모드 신호에 의해 버스트 모드 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 저전력 고속 반도체 소자
2 2
제 1항에 있어서, 몸체전압은 접지전압과 전원전압 사이에서 스윙하는 신호인 것을 특징으로 하는 저전력 고속 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.