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마이크로 로드를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143111
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 발광 소자는 굴절율이 다른 물질들을 교대로 형성한 반사층을 포함하며, 반사층 내부의 홀로부터 형성된 마이크로 로드를 포함한다.
Int. CL H01L 33/10 (2010.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090008540 (2009.02.03)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1563157-0000 (2015.10.20)
공개번호/일자 10-2010-0089338 (2010.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20151026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문상 대한민국 서울특별시 양천구
2 윤대호 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박성수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0067088-13
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0007908-56
3 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2009.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-5004848-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1192154-90
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0063139-87
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0079066-99
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0325291-68
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0325292-14
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0484906-25
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 기판; 상기 전도성 기판 상에 형성된 반사층;상기 반사층의 홀 내부로부터 돌출되어 형성된 마이크로 로드;상기 반사층 상부 및 상기 마이크로 로드 측부에 형성된 충진층; 및상기 마이크로 로드 및 상기 충진층 상에 형성된 투명 전극;을 포함하며,상기 마이크로 로드는 반사전도층, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 포함하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 활성층은 In1-xGaxN(0003c#x≤1)으로 형성된 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 반사층은 굴절율이 높은 제 1물질과 굴절율이 낮은 제 2물질이 교대로 형성된 다층 구조인 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 1물질은 굴절율이 1
6 6
제 1항에 있어서,상기 충진층은 Si 산화물 또는 Si 질화물로 형성된 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자
7 7
기판 상에 반사층을 형성하고 상기 반사층에 상기 기판을 노출시키는 다수의 홀을 형성하는 단계;상기 홀 내부 및 상기 반사층 표면을 돌출하는 마이크로 로드를 형성하는 단계; 상기 반사층 상부 및 상기 마이크로 로드 측부에 충진층을 형성하는 단계; 및상기 충진층 및 상기 마이크로 로드 상에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 마이크로 로드는 상기 홀 내부로부터 반사전도층, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 순차적으로 형성함으로써 상기 마이크로 로드를 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서,굴절율이 높은 제 1물질과 굴절율이 낮은 제 2물질을 교대로 형성하여 상기 반사층을 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 반사층 상에 포토 레지스트를 형성하고 포토리소그래피 공정을 실시함으로써 상기 홀을 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
11 11
제 9항에 있어서,상기 제 1물질은 굴절율이 1
12 12
제 7항에 있어서,상기 충진층은 Si 산화물 또는 Si 질화물로 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
13 13
제 7항에 있어서,상기 마이크로 로드는 MOCVD, MBE 또는 HVPE로 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.