맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143160
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 음각 패턴이 형성된 패턴층을 기판에 형성하는 단계, 음각 패턴 내부에 소스 전극(source electrode) 및 드레인 전극(drain electrode)을 각각 형성하는 단계, 음각 패턴 내부에 수용되도록, 소스 전극 및 드레인 전극에 절연층을 각각 형성하는 단계, 패턴층 중, 소스 전극과 드레인 전극 사이, 및 절연층 사이에 개재된 일부를 제거하는 단계, 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 접하도록, 패턴층의 일부가 제거된 공간에 유기 반도체층을 형성하는 단계, 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 유기 반도체층에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 및 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 게이트 절연막에 게이트 전극(gate electrode)을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor) 제조 방법이 제공된다. 이에 따라, 소스 전극, 드레인 전극, 유기 반도체층 및 게이트 전극이 상호 간에 보다 정밀하게 정렬됨으로써, 게이트 전극과 소스 전극 간, 및 게이트 전극과 드레인 전극 간 생성될 수 있는 기생 캐패시턴스를 최소화할 수 있다. 유기 박막 트랜지스터, 임프린트, 잉크젯
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)
CPC H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01) H01L 51/0541(2013.01)
출원번호/일자 1020090020220 (2009.03.10)
출원인 삼성전기주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1036920-0000 (2011.05.18)
공개번호/일자 10-2010-0101822 (2010.09.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.10)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하상원 대한민국 대전 유성구
2 정일섭 대한민국 서울시 서초구
3 김교혁 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 허진희 대한민국 대전시 유성규
5 음규학 대한민국 경기도 수원시 권선구
6 권정민 대한민국 경기도 성남시 분당구
7 임상일 대한민국 경기도 안양시 동안구
8 김창진 대한민국 경기도 성남시 분당구
9 성기훈 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0144692-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072116-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0531455-44
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0848046-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0848082-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0264912-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
음각 패턴이 형성된 패턴층을 기판에 형성하는 단계; 상기 패턴층을 형틀로 이용하여, 상기 음각 패턴 내부에 소스 전극(source electrode) 및 드레인 전극(drain electrode)을 각각 형성하는 단계; 상기 패턴층을 형틀로 이용하여, 상기 음각 패턴 내부에 수용되도록, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 절연층을 각각 형성하는 단계; 상기 패턴층 중, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이, 및 상기 절연층 사이에 개재된 일부를 제거하는 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형틀로 이용하여, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 접하도록, 상기 패턴층의 일부가 제거된 공간에 유기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 형틀로 이용하여, 상기 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 상기 유기 반도체층에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 절연층을 형틀로 이용하여, 상기 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 상기 게이트 절연막에 게이트 전극(gate electrode)을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor) 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 음각 패턴은, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 절연층의 형상과 대응되는 제1 양각 패턴이 형성된 제1 스탬퍼(first stamper)를 이용하여, 임프린트(imprint) 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 절연층, 상기 유기 반도체층, 상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나는, 잉크젯(ink-jet) 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 패턴층 중 일부를 제거하는 단계는, 잉크젯 방식으로 에칭액(etchant)을 토출하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계와 상기 게이트 전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 게이트 전극의 형상과 대응되는 제2 양각 패턴이 형성된 제2 스탬퍼를 이용하여, 임프린트 방식에 의해 상기 게이트 절연막을 가압하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 유기 반도체층의 두께는, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 두께 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
7 7
기판; 상기 기판에 형성되는 소스 전극; 상기 소스 전극과 이격되도록 상기 기판에 형성되는 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 형성되는 절연층; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되도록, 상기 기판에 형성되는 유기 반도체층; 상기 절연층 사이에 개재되도록, 상기 유기 반도체층에 형성되는 게이트 절연막; 및 상기 절연층 사이에 개재되도록, 상기 게이트 절연막에 형성되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 절연층의 횡단면 형상은, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 횡단면 형상과 각각 동일하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 유기 반도체층의 형성을 위한 형틀의 기능을 수행하고, 상기 절연층은 상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극의 형성을 위한 형틀의 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 유기 반도체층의 두께는, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 두께 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
10 10
제7항에 있어서, 상기 게이트 전극은, 상기 절연층 사이의 공간에 수용되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.