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탄소나노튜브 박막을 이용한 에스램

  • 기술번호 : KST2015143164
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT) 박막을 이용한 에스램(SRAM)에 관한 것으로서, 상기 에스램은 CNT 인버터를 포함한다. 상기 CNT 인버터는 서로 다른 타입의 CNT 트랜지스터 2개를 포함하거나 동일 타입의 CNT 트랜지스터 2개를 포함할 수 있다. 상기 서로 다른 타입의 CNT 트랜지스터는 앰비폴러(ambipolar) CNT 트랜지스터일 수 있고, 상기 동일 타입의 CNT 트랜지스터는 n-형 또는 p-형 CNT 트랜지스터일 수 있다.
Int. CL H01L 27/11 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 27/11(2013.01)
출원번호/일자 1020090013504 (2009.02.18)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0094192 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은홍 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김언정 대한민국 부산광역시 금정구
3 유우종 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이영희 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0100840-62
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2009.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-5007178-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1192142-42
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0869963-57
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0175505-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0175507-16
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0463536-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 인버터; 제2 인버터; 제1 스위칭 트랜지스터; 및 제2 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제2 인버터는 탄소나노튜브 박막 트랜지스터를 포함하는 CNT 인버터인 에스램
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 인버터는 공히 서로 다른 타입의 CNT 트랜지스터 2개를 포함하거나 동일 타입의 CNT 트랜지스터 2개를 포함하는 에스램
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 서로 다른 타입의 CNT 트랜지스터는 앰비폴러(ambipolar) CNT 트랜지스터인 에스램
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 동일 타입의 CNT 트랜지스터는 n-형 또는 p-형 CNT 트랜지스터인 에스램
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 인버터가 상기 동일 타입의 CNT 트랜지스터 2개를 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 인버터의 전원전압에 연결된 CNT 트랜지스터의 게이트 및 소스는 서로 연결된 에스램
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 인버터의 로직 문턱전압(Vm)은 입력전압 범위의 50±5%인 에스램
7 7
제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 인버터는 모두 전압전이특성 곡선에서 접선의 기울기가 -1인 전압이 0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02221829 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP22192901 JP 일본 FAMILY
3 US08796667 US 미국 FAMILY
4 US20100207102 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2221829 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 JP2010192901 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2010207102 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8796667 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.