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중성빔 식각 장치를 이용한 원자층 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015143240
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 BCl3 가스 및 첨가 가스를 사용하여 고유전 물질의 원자층 식각을 수행하는 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명의 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법은 피식각층이 노출된 피식각 기판을 반응 챔버 내의 스테이지 상에 안착시키는 단계; 상기 반응 챔버 내부의 샤워링을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 BCl3로 이루어지는 식각 가스를 공급하여 고유전 물질로 이루어지는 피식각층에 흡착시키는 단계; 상기 반응 챔버 일측에 설치된 퍼지 가스 공급관을 통하여 퍼지 가스를 공급하고, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각 가스를 퍼지하는 단계; 상기 식각 가스가 흡착된 피식각층 상으로 중성빔을 조사하는 단계; 및 퍼지 가스를 공급하여 상기 중성빔 조사에 의하여 발생된 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/31116(2013.01) H01L 21/31116(2013.01)
출원번호/일자 1020100017932 (2010.02.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0098355 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 임웅선 대한민국 대전광역시 유성구
3 김이연 대한민국 충청남도 태안군
4 박병재 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 연제관 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0128824-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0560657-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
피식각층이 노출된 피식각 기판을 반응 챔버 내의 스테이지 상에 안착시키는 단계; 상기 반응 챔버 내부의 샤워링을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 BCl3로 이루어지는 식각 가스를 공급하여 고유전 물질로 이루어지는 피식각층에 흡착시키는 단계; 상기 반응 챔버 일측에 설치된 퍼지 가스 공급관을 통하여 퍼지 가스를 공급하고, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각 가스를 퍼지하는 단계; 상기 식각 가스가 흡착된 피식각층 상으로 중성빔을 조사하는 단계; 및 퍼지 가스를 공급하여 상기 중성빔 조사에 의하여 발생된 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 고유전 물질은 HfO2, ZrO2 및 Ta2O5 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부의 식각 가스의 압력은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 정부)교과부-연구재단(구과학재단)-21C 프론티어 테라급나노소자개발사업 나노소자용 식각장비 제작 및 공정 개발