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탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑이온의 위치 제어방법 및 트랜지스터

기술번호 : KST2015143396
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑 이온의 위치 제어방법에 관하여 개시된다. 개시된 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법은, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 게이트를 구비한 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트에 제1전압을 인가하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브의 표면 상에 이온을 흡착시키는 단계;를 구비한다.
Int. CL	H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/768 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020080033882 (2008.04.11)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1410933-0000 (2014.06.17)
공개번호/일자	10-2009-0108459 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자	(20140702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.03.15)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김언정	대한민국	부산광역시 금정구
2	이영희	대한민국	경기도 수원시 권선구
3	최재영	대한민국	경기도 수원시 영통구
4	유우종	대한민국	광주광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.04.11	수리 (Accepted)	1-1-2008-0261019-45
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2013.03.15	수리 (Accepted)	1-1-2013-0226410-92
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.12.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0903467-76
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.02.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0177395-90
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0177393-09
10	등록결정서 Decision to grant	2014.05.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0347114-12
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 게이트를 구비한 전계효과 트랜지스터의 상기 탄소나노튜브를 도핑하는 방법에 있어서, 상기 게이트에 제1전압을 인가하는 단계; 및상기 탄소나노튜브의 표면 상에 이온을 흡착시키는 단계;를 구비하는 전계효과 트랜지스터의 탄소나노튜브를 도핑하는 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 흡착시키는 단계는, 니트로늄 헥사플로로 안티모네이트(nitronium hexafluoroantimonate) 용액을 상기 탄소나노튜브 표면에 접촉시키는 방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 제1전압은 양전압이며, 상기 이온은 니트로늄 이온이며, 상기 탄소나노튜브는 p 도핑되는 방법
4	4 제 2 항에 있어서, 상기 제1전압은 음전압이며, 상기 이온은 헥사플로로안티모네이트 이온이며, 상기 탄소나노튜브는 n 도핑되는 방법
5	5 제 2 항에 있어서, 상기 용액의 용매는 메타놀인 방법
6	6 제 2 항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 표면에 흡착되지 않은 상기 용액을 제거하는 단계; 및상기 전계효과 트랜지스터를 건조시켜서 상기 이온을 상기 탄소나노튜브의 표면에 흡착시키는 단계;를 더 구비한 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 흡착시키는 단계 이후에, 상기 탄소나노튜브의 표면 상으로 보호층을 더 형성하는 방법
8	8 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 전계효과 트랜지스터
9	9 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 게이트를 구비한 전계효과 트랜지스터의 도핑 이온의 위치를 제어하는 방법에 있어서, 상기 게이트에 제1전압을 인가하는 단계;상기 탄소나노튜브의 표면 상에 이온을 흡착시키는 단계; 및상기 소스 및 상기 드레인 사이에 제2전압을 인가하여 상기 이온을 상기 탄소나노튜브의 상기 드레인 측 또는 상기 소스 측으로 이동시키는 단계;를 구비하는 전계효과 트랜지스터의 도핑이온의 위치를 제어하는 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 흡착시키는 단계는, 니트로늄 헥사플로로 안티모네이트(nitronium hexafluoroantimonate) 용액을 상기 탄소나노튜브 표면에 접촉시키는 방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 제1전압은 양전압이며, 상기 이온은 니트로늄 이온이며, 상기 탄소나노튜브는 p 도핑되는 방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 제2전압은 양전압이며, 상기 니트로늄 이온이 상기 소스 측으로 이동하여 상기 트랜지스터는 순방향 다이오드가 되는 방법
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 제2전압은 음전압이며, 상기 트랜지스터의 니트로늄 이온이 상기 드레인 측으로 이동하여 상기 트랜지스터는 역방향 다이오드가 되는 방법
14	14 제 10 항에 있어서, 상기 용액의 용매는 메타놀인 방법
15	15 제 10 항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 표면에 흡착되지 않은 상기 용액을 제거하는 단계; 및상기 전계효과 트랜지스터를 건조시켜서 상기 이온을 상기 탄소나노튜브의 표면에 흡착시키는 단계;를 더 구비한 방법
16	16 제 15 항에 있어서,상기 흡착시키는 단계 이후에, 상기 탄소나노튜브의 표면 상으로 보호층을 더 형성하는 방법
17	17 제 9 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 전계효과 트랜지스터

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US07723223	US	미국	FAMILY
2	US20090256175	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2009256175	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US7723223	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-1410933-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080411 출원 번호 : 1020080033882 공고 연월일 : 20140702 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140520 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 21/265 발명의 명칭 : 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑이온의 위치 제어방법 및 트랜지스터 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구...
1	(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	708,000 원	2014년 06월 18일	납입
제 4 년분	금 액	414,000 원	2017년 05월 18일	납입
제 5 년분	금 액	414,000 원	2018년 05월 17일	납입
제 6 년분	금 액	414,000 원	2019년 05월 20일	납입
제 7 년분	금 액	746,000 원	2020년 05월 18일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.04.11	수리 (Accepted)	1-1-2008-0261019-45
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
4	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
5	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2013.03.15	수리 (Accepted)	1-1-2013-0226410-92
7	의견제출통지서	2013.12.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0903467-76
8	[명세서등 보정]보정서	2014.02.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0177395-90
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0177393-09
10	등록결정서	2014.05.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0347114-12
11	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


과제고유번호	1345086124
세부과제번호	03-2006-04-001-00
연구과제명	테라급탄소나노튜브전자소자개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	삼성전자
성과제출연도	2008
연구기간	200007~201003
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020080119974]	탄소나노튜브 엔 도핑 물질 및 이를 이용한 엔 도핑 방법	새창보기
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[1020080033882]	탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑이온의 위치 제어방법 및 트랜지스터	새창보기

중요키워드

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