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질화물 모스펫 및 그 형성 방법

기술번호 : KST2015067129
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	질화물 모스펫의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 질화물 모스펫의 제조 방법은 기판, 기판 상에 형성된 n 타입 도펀트로 도핑된 n 타입 GaN층, n 타입 GaN층 상에 형성된 p 타입 도펀트로 도핑된 p 타입 GaN층을 마련하는 단계, p 타입 GaN층의 제 1 영역 및 제 2 영역을 제외한 영역 상에 제 1 마스크층을 형성하는 단계, 제 1 마스크 층을 마스크로 규소를 주입하여, p 타입 GaN층의 제 1 영역 및 제 2 영역 각각에, 제 1 및 제 2 도핑층을 형성하는 단계, 제 1 마스크 층을 제거하며, p 타입 GaN층의 제 2 영역을 포함하는 제 3 영역을 제외한 영역 상에 제 2 마스크 층을 형성하는 단계와, 제 2 마스크 층을 마스크로 규소를 주입하여, 제 2 도핑층의 상부에 형성되며, 제 2 도핑층의 폭보다 큰 폭으로 n 타입 도펀트로 도핑된 제 3 도핑층을 형성하는 단계, 제 2 마스크 층을 제거하며, p 타입 GaN층의 제 1 및 제 2 영역의 일부를 제외한 영역 상에 산화층을 형성하는 단계와, 산화층의 일부 영역 상에 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01)
출원번호/일자	1020120005069 (2012.01.17)
출원인	엘지전자 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1887060-0000 (2018.08.03)
공개번호/일자	10-2013-0084360 (2013.07.25) 문서열기
공고번호/일자	(20180809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.12.13)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구
2	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	장태훈	대한민국	서울 서초구
2	석오균	대한민국	서울 관악구
3	한민구	대한민국	서울 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구
2	서울대학교산학협력단		서울특별시 관악구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.01.17	수리 (Accepted)	1-1-2012-0041342-12
2	보정요구서 Request for Amendment	2012.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0009017-20
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2012.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2012-0091949-10
4	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2012.02.06	수리 (Accepted)	1-1-2012-0093863-39
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
6	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2014-1163319-92
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
10	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2016.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2016-1222054-85
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.12.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1222052-94
12	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.04.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
13	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.07.11	수리 (Accepted)	9-1-2017-0021916-87
14	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.12.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0852934-50
15	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.02.01	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0115316-11
16	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2018-0115315-65
17	등록결정서 Decision to grant	2018.05.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0317948-74
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
19	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
20	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
21	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판, 상기 기판 상에 형성된 n 타입 GaN층, 상기 n 타입 GaN층 상에 형성된 p 타입 도펀트로 도핑된 p 타입 GaN층을 마련하는 단계,상기 p 타입 GaN층의 제 1 영역 및 제 2 영역을 제외한 영역 상에 제 1 마스크층을 형성하는 단계,상기 제 1 마스크 층을 마스크로 규소를 주입하여, 상기 p 타입 GaN층의 제 1 영역 및 제 2 영역 각각에, 제 1 및 제 2 도핑층을 형성하는 단계,상기 제 1 마스크 층을 제거하며, 상기 p 타입 GaN층의 제 2 영역을 포함하는 제 3 영역을 제외한 영역 상에 제 2 마스크 층을 형성하는 단계와,상기 제 2 마스크 층을 마스크로 규소를 주입하여, 상기 제 2 도핑층의 상부에 상기 제 2 도핑층을 덮도록 형성되며, 상기 제 2 도핑층의 폭보다 큰 폭으로 n 타입 도펀트로 도핑된 제 3 도핑층을 형성하는 단계,상기 제 2 마스크 층을 제거하며, 상기 p 타입 GaN층의 제 1 및 제 2 영역의 일부를 제외한 영역 상에 산화층을 형성하는 단계와,상기 산화층의 일부 영역 상에 게이트를 형성하는 단계, 및상기 산화층에 의하여 덮이지 않은 노출된 상기 제 1 및 제 3 도핑층 상에 각각 제 1 및 제 3 오믹 컨택트 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 3 도핑층은 상기 제 3 오믹 컨택트에서 상기 게이트까지 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫(MOSFET : metal oxide semiconductor field-effect transistor) 형성 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 3 도핑층을 형성하는 단계는, 상기 제 2 도핑층 상에서부터 상기 게이트 아래까지 연장되는, 기설정된 간격으로 이격된 복수 개의 서브 도핑층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 모스펫 형성 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 마스크 층 및 상기 제 2 마스크 층 중 적어도 하나는 SiO2이며, 상기 제 1 마스크 층 및 상기 제 2 마스크 층 중 적어도 하나는 HDP CVD(high density plasma chemical vapor deposition)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫 형성 방법
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 삭제
8	8 삭제
9	9 삭제
10	10 삭제
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 삭제
14	14 기판, 상기 기판 상에 형성된 n 타입 도펀트로 도핑된 n 타입 GaN층, 상기 n 타입 GaN층 상에 형성된 p 타입 도펀트로 도핑된 p 타입 GaN층,상기 p 타입 GaN층의 제 1 영역에 형성되는 제 1 도핑층,상기 p 타입 GaN층의 제 2 영역에, 상기 제 1 도핑층과 이격되어 형성되는 제 2 도핑층,상기 p 타입 GaN층에서 상기 제 2 도핑층의 상부에 형성되며, 상기 제 2 도핑층을 덮으며 상기 제 2 도핑층의 폭보다 큰 폭으로 형성되는 n 타입 도펀트로 도핑된 제 3 도핑층,상기 p 타입 GaN층 상에 형성된 산화층과,상기 산화층의 상면 일부 영역 상에 형성된 게이트,상기 제 1 및 제 3 도핑층 상에 각각 형성된 제 1 및 제 3 오믹 컨택트를 포함하고,상기 제 3 도핑층은 상기 제 3 오믹 컨택트에서 상기 게이트까지 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫
15	15 제 14 항에 있어서,상기 제 1 도핑층 및 제 3 도핑층의 양측단 상부에는 산화층이 형성되고, 제 1 도핑층 및 제 3 도핑층의 중앙부 상에는 제 2 오믹 컨택트가 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫
16	16 제 14 항에 있어서,상기 제 3 도핑층 및 상기 제 2 도핑층은, 상기 n 타입 GaN층 및 상기 p 타입 GaN층의 적층 방향에 대하여 서로 상하 방향으로 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫
17	17 제 16 항에 있어서,상기 제 3 도핑층의 연장된 길이는, 상기 산화층의 높이의 적어도 1000배인 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫
18	18 제 14 항에 있어서,상기 제 3 도핑층은, 상기 제 2 도핑층 상에서부터 상기 게이트 아래까지 연장되는, 기설정된 간격으로 이격된 복수 개의 서브 도핑층을 포함하는 질화물 모스펫
19	19 제 14 항에 있어서,상기 산화층은 SiO2, Al2O3, SiNx, Ga2O3 및 HfO2 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 모스펫

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1887060-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120117 출원 번호 : 1020120005069 공고 연월일 : 20180809 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20180510 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 질화물 모스펫 및 그 형성 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...
1	(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	396,000 원	2018년 08월 06일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.01.17	수리 (Accepted)	1-1-2012-0041342-12
2	보정요구서	2012.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0009017-20
3	[출원서등 보정]보정서	2012.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2012-0091949-10
4	[출원서등 보정]보정서	2012.02.06	수리 (Accepted)	1-1-2012-0093863-39
5	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
6	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2014-1163319-92
7	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
10	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2016.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2016-1222054-85
11	[명세서등 보정]보정서	2016.12.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1222052-94
12	선행기술조사의뢰서	2017.04.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
13	선행기술조사보고서	2017.07.11	수리 (Accepted)	9-1-2017-0021916-87
14	의견제출통지서	2017.12.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0852934-50
15	[명세서등 보정]보정서	2018.02.01	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0115316-11
16	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2018-0115315-65
17	등록결정서	2018.05.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0317948-74
18	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
19	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
20	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
21	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015067129
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서울대학교
기술명	질화물 모스펫 및 그 형성 방법
기술개요	질화물 모스펫의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 질화물 모스펫의 제조 방법은 기판, 기판 상에 형성된 n 타입 도펀트로 도핑된 n 타입 GaN층, n 타입 GaN층 상에 형성된 p 타입 도펀트로 도핑된 p 타입 GaN층을 마련하는 단계, p 타입 GaN층의 제 1 영역 및 제 2 영역을 제외한 영역 상에 제 1 마스크층을 형성하는 단계, 제 1 마스크 층을 마스크로 규소를 주입하여, p 타입 GaN층의 제 1 영역 및 제 2 영역 각각에, 제 1 및 제 2 도핑층을 형성하는 단계, 제 1 마스크 층을 제거하며, p 타입 GaN층의 제 2 영역을 포함하는 제 3 영역을 제외한 영역 상에 제 2 마스크 층을 형성하는 단계와, 제 2 마스크 층을 마스크로 규소를 주입하여, 제 2 도핑층의 상부에 형성되며, 제 2 도핑층의 폭보다 큰 폭으로 n 타입 도펀트로 도핑된 제 3 도핑층을 형성하는 단계, 제 2 마스크 층을 제거하며, p 타입 GaN층의 제 1 및 제 2 영역의 일부를 제외한 영역 상에 산화층을 형성하는 단계와, 산화층의 일부 영역 상에 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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