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GAA(Gate-all-around) 구조의 질화물 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,기판상에 고저항(highly resistive) GaN층을 성장시키는 단계;상기 고저항 GaN층 상에 제1 질화물층, 제2 질화물층 및 제3 질화물층을 성장시키는 단계;상기 성장된 제1 질화물층, 제2 질화물층 및 제3 질화물층을 건식 식각하여 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이를 연결하는 핀 구조의 채널층을 형성하는 단계;알칼리 용액을 이용하여 상기 형성된 핀 구조의 채널층 중 상기 제2 질화물층을 습식 식각하는 단계;상기 채널층을 감싸는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 및 드레인 영역에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 절연층을 감싸는 제3 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 질화물층과 상기 제3 질화물층은 같은 물질이고, 상기 제2 질화물층은 상기 제1 질화물층 및 상기 제3 질화물층과 상이한 물질인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 질화물층 및 상기 제3 질화물층은 GaN층이고, 상기 제2 질화물층은 AlN층 또는 AlGaN층인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 알칼리 용액은 TMAH 계열의 용액인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 질화물층, 제2 질화물층 및 제3 질화물층을 성장시키는 단계에 있어서,상기 제1 질화물층, 상기 제2 질화물층 및 상기 제3 질화물층을 n형으로 도핑하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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GAA(Gate-all-around) 구조의 질화물 반도체 소자에 있어서,기판상에 형성된 고저항(highly resistive) GaN층;상기 고저항 GaN층 상에 제1 질화물층 및 제3 질화물층으로 형성된 핀 모양의 채널층;상기 고저항 GaN층 상에 상기 제1 질화물층, 제2 질화물층 및 상기 제3 질화물층으로 형성되고, 상기 채널층으로 연결된 소스 영역 및 드레인 영역;상기 채널층을 감싸는 절연층;상기 소스 영역 및 드레인 영역에 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 절연층을 감싸는 제3 전극;을 포함하는 반도체 소자
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제6항에 있어서,상기 제1 질화물층과 상기 제3 질화물층은 같은 물질이고, 상기 제2 질화물층은 상기 제1 질화물층 및 상기 제3 질화물층과 상이한 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 제1 질화물층 및 상기 제3 질화물층은 GaN층이고, 상기 제2 질화물층은 AlN층 또는 AlGaN층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제6항에 있어서,상기 제1 질화물층, 상기 제2 질화물층 및 상기 제3 질화물층은 n형으로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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