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투명 전극 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143404
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130024148 (2013.03.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1512412-0000 (2015.04.09)
공개번호/일자 10-2014-0109752 (2014.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140038831;
심사청구여부/일자 Y (2013.03.06)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기 수원시 장안구
2 이한림 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0197928-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012593-18
4 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0314275-45
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0409087-63
6 협의요구서
Request for Consultation		 2014.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0312497-74
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0312496-28
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0601819-37
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0601820-84
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0614486-77
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1024192-19
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1024191-63
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0884494-42
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0125672-14
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0125674-16
16 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0223664-72
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소수성의 투명 기재;상기 투명 기재 상에 형성되고, 극성 작용기를 포함하는 자기조립단분자층(self-assembled monolayer);상기 자기조립단분자층 상에 형성되는 친수성의 금속 나노와이어(nanowire)층;상기 금속 나노와이어층 상에 형성되는 산화그래핀층; 및상기 산화그래핀층 상에 형성되는 하드 코팅막을 포함하는, 투명 전극
2 2
제 1 항에 있어서,상기 자기조립단분자층은 하기 화학식 1로써 표시되는 유기 화합물을 포함하는 것인, 투명 전극:[화학식 1]X-A-Y식 중, X는 실란기, 알킬아민기, 및 포스포네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것이고,Y는 아민기, 아마이드기, 피롤기, 히드록실기, 티올기, 에폭사이드기, 및 할라이드기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 극성 작용기이며,상기 A는 탄소 분자축으로서, 산소, 질소, 인, 황, 실리콘, 또는 게르마늄 원소; C≡C, C=C, C≡C-C≡C, C≡C-C=C, 또는 C=C-C=C인 불포화 탄화수소기; N=N, 벤젠 고리, 또는 -NH-CO- 작용기; 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것임
3 3
제 1 항에 있어서,상기 자기조립단분자층의 두께는 1 nm 내지 100 nm인 것인, 투명 전극
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 함유하는 금속 또는 합금의 나노와이어를 포함하는 것인, 투명 전극
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층의 두께는 10 nm 내지 100 nm인 것인, 투명 전극
6 6
제 1 항에 있어서,상기 투명 기재는 유연성을 가지는 것인, 투명 전극
7 7
제 1 항에 있어서,상기 투명 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane), PET(polyethylene terephthalate), PAN(polyacrylonitrile), 유리, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 투명 전극
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 하드 코팅막은 아크릴 리신(acryl resin), 폴리비닐알코올(PVA, polyvinylalcohol), 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트[poly(ethylene glycol) diacrylate, PEGDA], PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)], TiO2/PEDOT;PSS, 테플론(Teflon), 은나노와이어/폴리머 복합체, 메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 (MPTMS), 글리시독시프로필 트리메톡시실란(glycidoxypropyl trimethoxysilane, GPTMS), 비닐트리에톡시실란(vinyltriethoxysilane, VTES), 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, MTES), 테트라에틸오소실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 머캅토프로필트리메톡시실란(mercaptopropyltrimethoxysilane, MPTMS), 티타늄 이소프로폭사이드(titanium isopropoxide, TTIP), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 투명 전극
11 11
소수성의 투명 기재 상에 극성 작용기를 함유하는 자기조립단분자층을 형성하고;상기 자기조립단분자층 상에 친수성의 금속 나노와이어층을 형성하고;상기 금속 나노와이어층 상에 산화그래핀층을 형성하고; 및상기 산화그래핀층 상에 하드 코팅막을 형성하는 것을 포함하는,투명 전극의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 투명 기재 상에 극성 작용기를 함유하는 자기조립단분자층을 형성하는 것은, 하기 [화학식 1]로써 표시되는 유기 화합물을 상기 투명 기재 상에 처리하는 것을 포함하는 것인, 투명 전극의 제조 방법:[화학식 1]X-A-Y식 중, X는 실란기, 알킬아민기, 및 포스포네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것이고,Y는 아민기, 아마이드기, 피롤기, 히드록실기, 티올기, 에폭사이드기, 및 할라이드기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 극성 작용기이며,상기 A는 탄소 분자축으로서, 산소, 질소, 인, 황, 실리콘, 또는 게르마늄 원소; C≡C, C=C, C≡C-C≡C, C≡C-C=C, 또는 C=C-C=C인 불포화 탄화수소기; N=N, 벤젠 고리, 및 -NH-CO- 작용기; 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것임
13 13
제 11 항에 있어서,상기 자기조립단분자층 상에 금속 나노와이어층을 형성하는 것은, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 함유하는 금속 또는 합금의 나노와이어를 상기 자기조립단분자층 상에 처리하는 것을 포함하는 것인, 투명 전극의 제조 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층은 상기 자기조립단분자층에 함유된 상기 극성 작용기와 금속 나노와이어 간의 결합에 의하여 형성되는 것인, 투명 전극의 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 산화그래핀층은 상기 자기조립단분자층에 함유된 상기 극성 작용기와 산화그래핀 간의 결합에 의하여 형성되는 것인, 투명 전극의 제조 방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층 상에 산화그래핀층을 형성한 후에, 상기 산화그래핀층에 함유된 산화그래핀을 환원시키는 것을 추가 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
17 17
제 11 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층 상에 산화그래핀층을 형성한 후에, 산성 용액을 처리하여 상기 자기조립단분자층에 함유된 아민기 및 상기 산화그래핀층에 함유된 카르복실기 사이에 아미드 결합을 형성하는 것을 추가 포함하는, 투명 전극의 제조 방법
18 18
삭제
19 19
제 11 항에 있어서, 상기 하드 코팅막은 아크릴 리신(acryl resin), 폴리비닐알코올(PVA, polyvinylalcohol), 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트[poly(ethylene glycol) diacrylate, PEGDA], PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)], TiO2/PEDOT;PSS, 테플론(Teflon), 은나노와이어/폴리머 복합체, 메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 (MPTMS), 글리시독시프로필 트리메톡시실란(glycidoxypropyl trimethoxysilane ,GPTMS), 비닐트리에톡시실란(vinyltriethoxysilane, VTES), 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, MTES), 테트라에틸오소실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 머캅토프로필트리메톡시실란(mercaptopropyltrimethoxysilane, MPTMS), 티타늄 이소프로폭사이드(titanium isopropoxide, TTIP), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 투명 전극의 제조 방법
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1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 창의적연구지원사업 3단계1/3(7/9) 기능성 분자메모리 연구단