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원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법

  • 기술번호 : KST2015143844
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착법(ALD)으로 투명전극을 성장시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 증착시킬 대상기판이 반응챔버 내에 배치되는 S1 단계; 반응챔버 내에 아연 전구체와 산소 전구체를 주입하여, 아연전구체와 산소전구체간의 화학반응을 통해 ZnO 박막층이 형성되는 S2 단계; 반응챔버 내에 도핑물질 전구체를 주입하여 ZnO 박막 표면에 도핑층이 형성되는 S3 단계를 포함하며, S2 단계가 반복수행된 후, S3 단계는 1회 수행되는 과정이 반복되어, 다층으로 형성된 ZnO 박막층과 도핑층의 각 높이와 농도가 증감 조절되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130010734 (2013.01.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0097944 (2014.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기 수원시 장안구
2 안철현 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0091750-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0082507-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0053673-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0228593-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0228595-00
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0480874-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0867165-46
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0867164-01
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0873974-52
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0899653-10
12 보정요구서
Request for Amendment		 2014.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0160906-27
13 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2014.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0163125-01
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0686596-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자층 증착법(ALD)으로 투명전극을 성장시키는 방법에 있어서,증착시킬 대상기판이 반응챔버 내에 배치되는 S1 단계;반응챔버 내에 아연 전구체와 산소 전구체를 주입하여, 아연전구체와 산소전구체간의 화학반응을 통해 ZnO 박막층이 형성되는 S2 단계;반응챔버 내에 도핑물질 전구체를 주입하여 ZnO 박막 표면에 도핑층이 형성되는 S3 단계를 포함하며,S2 단계가 반복수행된 후, S3 단계는 1회 수행되는 과정이 반복되어, 다층으로 형성된 ZnO 박막층과 도핑층의 각 높이와 농도가 증감 조절되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
2 2
제1항에 있어서, S2 단계는반응챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 기판상에 흡착시키는 S2-1a 단계;반응챔버 내에 비활성가스를 주입한 후, 흡착반응되지 않은 아연 전구체를 함께 배출시켜 제거하는 S2-2 단계;반응챔버 내에 산소 전구체를 주입하여, 기 흡착된 아연 전구체와 흡착반응을 시키는 S2-3 단계; 및반응챔버 내에 비활성가스를 주입한 후, 기 흡착된 아연 전구체와 반응되지 않은 산소 전구체를 함께 배출시켜 제거하는 S2-4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
3 3
제2항에 있어서, S2 단계가 반복수행되는 경우,반응챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 기 흡착된 아연전구체에 흡착시키는 S2-1b 단계, S2-2 단계, S2-3 단계 및 S2-4 단계가 순차적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
4 4
제1항에 있어서, S3 단계는반응챔버 내에 도핑하고자 하는 도핑물질 전구체를 주입하여, S2 단계에 의해 형성된 ZnO 박막층에 흡착시키는 S3-1 단계;반응챔버 내에 비활성가스를 주입한 후, ZnO 박막층에 흡착반응되지 않은 도핑물질 전구체를 함께 배출시켜 제거하는 S3-2 단계;반응챔버 내에 산소 전구체를 주입하여, 도핑물질 전구체에 흡착시키는 S3-3 단계; 및반응챔버 내에 비활성가스를 주입한 후, 도핑물질 전구체에 흡착반응되지 않은 산소 전구체를 함께 배출시켜 제거하는 S3-4 단계를 포함하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
5 5
제1항에 있어서,도핑층 사이에 배치되어 이격된 각 ZnO 산화층은 후순위로 적층될수록 S2 단계의 반복수행 회수가 증가하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
6 6
제1항에 있어서,도핑층 사이에 배치되어 이격된 각 ZnO 산화층은 후순위로 적층될수록 S2 단계의 반복수행 회수가 감소하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
7 7
제1항에 있어서,도핑층 사이에 배치되어 이격된 각 ZnO 산화층은 후순위로 적층될수록 S2 단계의 반복수행 회수가 증가 후 감소되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
8 8
제1항에 있어서,도핑층 사이에 배치되어 이격된 각 ZnO 산화층은 후순위로 적층될수록 S2 단계의 반복수행 회수가 감소 후 증가되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
9 9
제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,S2 단계의 반복수행 회수가 기준 후순위까지 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
10 10
제1항에 있어서,상기 도핑물질은 III족 그룹을 구성하는 원소와 IV족 그룹을 구성하는 원소로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
11 11
제1항에 있어서,S2 단계 및 S3 단계는 100oC ~ 300oC에서 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
12 12
제1항에 있어서,S3 단계에서 형성되는 도핑층의 도핑물질의 원자퍼센트(M)는 0at% 003c# M 003c# 20at% 인 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
13 13
제12항에 있어서,상기 도핑물질의 원자퍼센트(M)는 3at% ~ 5at% 인 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법에 의해 다층으로 구성된 투명전극 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교 국제공동기술개발사업 광전변환효율10%급 저비용 CIGS태양전지기술개발
2 교육과학기술부 성균관대학교 핵심연구지원사업 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구