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금속간 화합물 2차원 수소 이온 전도체 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023002791
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저차원 전자화물을 이용한 고성능 수소 이온 전도체 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 수소 이온 전도체는, 저차원 전자화물 내에 1차원 또는 2차원적으로 분포하고 있는 격자 간 전자를 수소 이온으로 치환하여 1차원 또는 2차원 수소 배열을 형성시킴으로써 높은 수소 이온 전도도를 확보할 수 있다. 본 발명의 수소 이온 전도체는 또한, 기존의 복잡한 구조를 가진 유기물이 아닌 비교적 단순한 결정구조를 가진 고체 상태의 무기화합물로서 열에 대하여 강한 내성이 있을 뿐만 아니라, 저차원의 전자화물을 수소 분위기에서 가열하는 것만으로 고성능의 수소 이온 전도체를 제조할 수 있다는 점에서 큰 장점이 있다. 본 발명의 고성능 수소 이온 전도체는 수소의 저장과 이동에 관련된 다양한 분야에 활용될 수 있다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01)
CPC H01B 1/122(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) Y02E 60/50(2013.01)
출원번호/일자 1020220154536 (2022.11.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0074403 (2023.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210160618   |   2021.11.19
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.11.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 경기도 수원시 장안구
2 임동철 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)
3 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 월드메르디앙*차 **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
4 정우상 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-1226998-49
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2023.01.25 1-1-2023-0091285-93
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2023.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2023-0097556-01
4 [반환신청]서류 반려요청서·반환신청서
2023.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2023-0097513-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1 로서 표현되는 화합물을 포함하는 것인,전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전자화물은, 하기 화학식 2 로서 표현되는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체:[화학식 2]A2BC2 (화학식 2에 있어서, A 는 Y, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Er, 또는 Yb 이고, B 는 Mg, Ca, Sr, 또는 Ba 이고, C 는 Ni, Si, Ge, Sn 또는 Cs 임)
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전자화물은, 격자 간 전자가 1 차원 또는 2 차원적으로 분포된 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
4 4
제 3 항에 있어서,상기 수소 이온 전도체는, 상기 격자간 전자가 수소로 치환된, 1 차원 또는 2 차원의 수소 배열을 포함하는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
5 5
제 2 항에 있어서,상기 전자화물의 결정 구조의 대칭성과 상기 수소 이온 전도체의 결정 구조의 대칭성은 서로 상이한 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
6 6
제 1 항에 있어서,상기 수소 이온 전도체는 단결정, 다결정 또는 박막의 형태를 갖는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
7 7
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 로서 표현되는 화합물은, 500℃ 이하에서 고체 상태로 존재하는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
8 8
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 로서 표현되는 화합물은, 500℃ 이하에서 수소 이온 전도도가 0
9 9
하기 화학식 2 로서 표현되는 저차원 전자화물을 준비하는 단계; 및상기 저차원 전자화물을 수소 분위기하에서 열처리하여 수소를 주입하는 단계; 를포함하는 수소 이온 전도체의 형성 방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 수소 분위기는 수소 또는 수소 및 비활성 기체를 포함하는 것인, 수소 이온 전도체의 형성 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 수소주입을 위한 열처리 온도는 100℃ 내지 1500℃인, 수소 이온 전도체의 형성 방법
12 12
제 1 항에 따른 수소 이온 전도체를 포함하는 수소 관련 디바이스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 나노소재기술개발 2차원 수소격자구조 기반 슈퍼 수소이온전도체 개발