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하기 화학식 1 로서 표현되는 화합물을 포함하는 것인,전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
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제 1 항에 있어서,상기 전자화물은, 하기 화학식 2 로서 표현되는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체:[화학식 2]A2BC2 (화학식 2에 있어서, A 는 Y, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Er, 또는 Yb 이고, B 는 Mg, Ca, Sr, 또는 Ba 이고, C 는 Ni, Si, Ge, Sn 또는 Cs 임)
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제 2 항에 있어서,상기 전자화물은, 격자 간 전자가 1 차원 또는 2 차원적으로 분포된 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
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제 3 항에 있어서,상기 수소 이온 전도체는, 상기 격자간 전자가 수소로 치환된, 1 차원 또는 2 차원의 수소 배열을 포함하는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
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제 2 항에 있어서,상기 전자화물의 결정 구조의 대칭성과 상기 수소 이온 전도체의 결정 구조의 대칭성은 서로 상이한 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
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제 1 항에 있어서,상기 수소 이온 전도체는 단결정, 다결정 또는 박막의 형태를 갖는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 로서 표현되는 화합물은, 500℃ 이하에서 고체 상태로 존재하는 것인, 전자화물을 이용한 수소 이온 전도체
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 로서 표현되는 화합물은, 500℃ 이하에서 수소 이온 전도도가 0
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하기 화학식 2 로서 표현되는 저차원 전자화물을 준비하는 단계; 및상기 저차원 전자화물을 수소 분위기하에서 열처리하여 수소를 주입하는 단계; 를포함하는 수소 이온 전도체의 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 수소 분위기는 수소 또는 수소 및 비활성 기체를 포함하는 것인, 수소 이온 전도체의 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 수소주입을 위한 열처리 온도는 100℃ 내지 1500℃인, 수소 이온 전도체의 형성 방법
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제 1 항에 따른 수소 이온 전도체를 포함하는 수소 관련 디바이스
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