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1
제1 도전형 반도체 기판;
상기 반도체 기판의 적어도 일부에 형성되고 상기 반도체 기판 내부를 제1 및 제2 영역으로 격리시키는 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형 분리층;
상기 제1 영역 및 제2 영역 상에 접촉하도록 형성된 절연층;
상기 절연층상에 형성되는 전하 저장층;
상기 제1 영역과 전기적으로 연결되는 콘트롤 게이트; 및
상기 제2 영역과 전기적으로 연결되는 데이터 라인을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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2
제 1항에 있어서, 상기 제2 도전형 분리층은
상기 반도체 기판 하부에 형성된 기저층; 및
상기 기저층과 함께 상기 반도체 기판을 제1 및 제2 영역으로 둘러싸는 측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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3
제 1항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 전하 저장층 사이에 형성된 절연층은 상기 제2 영역 보다 상기 제1 영역 상에 더 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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4
제1 도전형 반도체 기판;
상기 반도체 기판의 적어도 일부에 형성되고 상기 반도체 기판 내부를 제1 및 제2 영역으로 격리시키는 분리층;
상기 제1 영역 및 제2 영역 상에 접촉하도록 형성된 절연층;
상기 절연층상에 형성되는 전하 저장층;
상기 제1 영역과 전기적으로 연결되는 콘트롤 게이트; 및
상기 제2 영역과 전기적으로 연결되는 데이터 라인을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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5
제 4항에 있어서, 상기 분리층은
상기 반도체 기판 하부에 형성된 기저층; 및
상기 기저층과 함께 상기 반도체 기판을 제1 및 제2 영역으로 둘러싸는 측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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6
제 5항에 있어서, 상기 기저층 또는 상기 측벽 중 적어도 어느 하나는 절연층인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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7
제 5항에 있어서, 상기 기저층 및 상기 측벽은 절연층인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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8
제 5항에 있어서, 상기 기저층 또는 상기 측벽 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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9
제 5항에 있어서, 상기 기저층 및 상기 측벽은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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10
제 4항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 전하 저장층 사이에 형성된 절연층은 상기 제2 영역 보다 상기 제1 영역 상에 더 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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