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마그네틱 램 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143607
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마그네틱 램 제조방법을 제공한다. 먼저, 기판 상에 MTJ 구조체를 포함하는 적층 구조체를 형성한다. 상기 적층 구조체를 패터닝하여 상기 MTJ 구조체를 포함하는 적층 패턴들을 형성한다. 상기 적층 패턴들을 형성하는 단계에서 상기 적층 패턴들의 측벽들 상에 축적된 금속 잔류물을 중성빔을 사용하여 식각한다. MTJ 구조체를 포함하는 적층 패턴들의 측벽 상에 축적된 금속 잔류물을 중성빔을 사용하여 식각함으로써, 상기 MTJ 구조체 내에 구비된 고정층과 자유층 사이의 전기적 단락을 방지할 수 있더 소자 신뢰성이 향상될 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020110008303 (2011.01.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0086938 (2012.08.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 강세구 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박종윤 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 전민환 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 연제관 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0067739-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 MTJ 구조체를 포함하는 적층 구조체를 형성하는 단계;상기 적층 구조체를 패터닝하여 상기 MTJ 구조체를 포함하는 적층 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 적층 패턴들을 형성하는 단계에서 상기 적층 패턴들의 측벽들 상에 축적된 금속 잔류물을 중성빔을 사용하여 식각하는 단계를 포함하는 마그네틱 램 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 중성빔은 Ar 중성빔인 마그네틱 램 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 중성빔과 상기 기판이 이루는 각은 하기 수학식 1을 만족하는 마그네틱 램 제조방법:[수학식 1]상기 수학식 1에서, θ는 중성빔과 기판이 이루는 각이고, w는 적층 패턴들 사이의 간격이고, h는 적층 패턴의 높이이다
4 4
제3항에 있어서,상기 금속 잔류물을 상기 중성빔을 사용하여 식각하는 단계는상기 중성빔을 상기 기판에 대해 상기 수학식 1을 만족하는 제1 방향으로 제공하는 단계와, 상기 제1 방향의 Z축 대칭인 제2 방향으로 제공하는 단계를 포함하는 마그네틱 램 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 각 적층 패턴은 상기 MTJ 구조체, 상기 MTJ 구조체 상부의 상부전극, 및 상기 상부전극 상부의 하드마스크 패턴을 구비하는 마그네틱 램 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교산학협력단 IT산업원천기술개발사업 수직자화 MTJ 식각 공정 기술 개발