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고분자를 포함하는 층과, 단층 또는 복수층의 그래핀을 포함하며,상기 고분자는 음전하를 띤 고분자이고,상기 그래핀은 p 타입으로 도핑된 그래핀이며,상기 그래핀의 일부 또는 전체가 상기 고분자를 포함하는 층 위에 수직 또는 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 복합체
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제1항에 있어서, 상기 그래핀의 총중량 중 50% 이상이 상기 고분자를 포함하는 층 위에 수직 또는 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 복합체
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제2항에 있어서,상기 그래핀의 총중량 중 70% 이상이 상기 고분자를 포함하는 층 위에 수직 또는 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 복합체
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제3항에 있어서,상기 그래핀의 총중량 중 90% 이상이 상기 고분자를 포함하는 층 위에 수직 또는 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 복합체
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제1항에 있어서,상기 음전하를 띤 고분자는 폴리(스티렌 설포네이트), 폴리(메타크릴산), 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리말레인산, 폴리(에틸렌 옥사이드), 폴리(비닐 설페이트), 폴리(비닐 설포네이트), 폴리(3-설포프로필 메타크릴레이트), 폴리(아크릴아미도-2-메틸-프로판설포네이트), 및 폴리비닐알코올로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 복합체
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제6항에 있어서,상기 음전하를 띤 고분자는 폴리(스티렌 설포네이트)인 복합체
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제1항에 있어서,상기 p 타입으로 도핑된 그래핀은 HNO3,HCl, H2PO4, CH3COOH, 및 H2SO4로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 도펀트로 도핑된 것인 복합체
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전도성 기판 상에 고분자를 포함하는 층을 코팅하는 단계; 상기 고분자를 포함하는 층 위에 그래핀을 코팅하는 단계; 상기 고분자를 포함하는 층 및 그래핀 층이 코팅된 전도성 기판에 전압을 인가하여 일부 또는 전부의 그래핀이 상기 고분자를 포함하는 층 위에 수직 또는 경사지게 배치되도록 조립하는 단계를 포함하는, 고분자를 포함하는 층 및 그래핀을 포함하는 복합체의 제조 방법
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전도성 기판 상에 고분자를 포함하는 층을 코팅하는 단계; 그래핀을 분산시킨 분산액에 상기 고분자를 포함하는 층이 코팅된 전도성 기판을 담그고 전압을 인가하여 일부 또는 전부의 그래핀이 상기 고분자를 포함하는 층 위에 수직 또는 경사지게 배치되도록 코팅하는 단계를 포함하는, 고분자를 포함하는 층 및 그래핀을 포함하는 복합체의 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 고분자는 음전하를 띤 고분자인 복합체의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 음전하를 띤 고분자는 폴리(스티렌 설포네이트), 폴리(메타크릴산), 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리말레인산, 폴리(에틸렌 옥사이드), 폴리(비닐 설페이트), 폴리(비닐 설포네이트), 폴리(3-설포프로필 메타크릴레이트), 폴리(아크릴아미도-2-메틸-프로판설포네이트), 및 폴리비닐알코올로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 복합체의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 음전하를 띤 고분자는 폴리(스티렌 설포네이트)인 복합체의 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 그래핀은 p 타입으로 도핑된 것인, 복합체의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 p 타입으로 도핑된 그래핀은 HNO3,HCl, H2PO4, CH3COOH, 및 H2SO4로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 도펀트로 도핑된 것인 복합체의 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 전압의 인가는 정전압법을 이용하고, 인가 전압은 -1V 내지 -5V인 복합체의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 인가 전압은 -1
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제18항에 있어서, 상기 인가 전압은 -2V 내지 -4V인 복합체의 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서, 전압을 인가한 복합체의 비 정전용량이, 전압을 인가하지 않은 복합체의 비 정전용량의 2 내지 100배인 복합체의 제조 방법
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제1항의 복합체를 포함하는 전자 장치
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