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중합체 비드(bead) 표면을 직접 술폰화(direct sulfonation)시켜 중합체 비드의 표면을 술폰기로 개질시키는 단계(단계 1);개질된 중합체 비드와, 양이온 전해액 및 용매의 혼합물을 혼합시켜 개질된 중합체 비드의 표면에 양이온을 적층시키는 단계(단계 2);양이온이 적층된 중합체 비드와, 음이온 전해액 및 용매의 혼합물을 혼합시켜 양이온 적층된 중합체 비드의 표면에 음이온을 적층시키는 단계(단계 3);원하는 층을 형성하기 위하여 단계 2 및 단계 3으로 이루어진 반복적 자기집합 단층막(self assembled monolayer)을 통하여 음이온/양이온 층을 교대로 결합시켜 중합체 비드의 표면에 최종 양이온으로 적층된 다층막을 형성시키는 단계(단계 4); 및 단계 4에서 얻어진 개질된 중합체 비드를, 용매에 분산되어 있는 표면 개질된 탄소나노튜브와 혼합시켜 탄소나노튜브가 코팅된 중합체 비드를 형성시키는 단계(단계 5)를 포함하여 도전성 볼을 제조하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1이, 중합체 비드를 클로로술폰산, 술폰산, 또는 아세틱 술파이드 중에서 1 내지 24 시간 동안 반응시켜 표면이 술폰기로 개질된 중합체 비드를 형성시킴을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1이 중합체 비드로서 폴리스티렌을 사용하여 클로로술폰산 중에서 수행됨을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 양이온 전해액이 폴리(디알릴디메틸암모늄 클로라이드), 아크릴아미드, 폴리(에틸렌아민), 폴리(알릴아민 히드로클로라이드),폴리 (메틸-비닐피리디윰), 폴리(부탄닐비올로겐), 또는 폴리(비닐벤젠닐트리메틸암모늄클로라이드)임을 특징으로 하는 방법
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5
제 1항에 있어서, 음이온 전해액이 폴리(아크릴산), 또는 폴리(나트륨 스티렌)임을 특징으로 하는 방법
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6
제 1항에 있어서, 단계 2 내지 4에서 사용되는 용매가 C1 내지 C6의 알코올임을 특징으로 하는 방법
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7
제 1항에 있어서, 단계 5에서 사용되는 용매가 증류수, 이소프로필알코올, 에탄올, 메탄올, 부틸알코올, 클로로포름, 디에틸에테르, 헥산, 시클로헥산, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 시클로테트라히드로푸란, 메틸에틸케톤으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 이의 혼합물임을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 표면 개질된 탄소나노튜브가, 카르복실기로 표면개질된 탄소나노튜브 또는 부틸기로 표면개질된 탄소나노튜브임을 특징으로 하는 방법
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9
제 1항에 있어서, 각 적층이 표면에 형성된 양이온-음이온에 의한 이온결합으로 형성됨을 특징으로 방법
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10
제 1항에 있어서, 양이온의 말단이 아민기(NH3+)로 이루어지고, 음이온의 말단이 COOH-, OH- 또는 SO3-로 이루어짐을 특징으로 하는 방법
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11
제 1항에 있어서, 양이온 적층이 pH 7
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제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된, 중합체 비드에 탄소나노튜브가 코팅된 도전성 볼
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