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저항 메모리 소자 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2015143730
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 발명으로서, 구체적으로는 산소 분위기에서의 열처리에 의해 비격자 산소 이온의 생성이 가능한 금속 산화물(예를 들어 HfO2)을 가변 저항층으로 이용함으로써 일렉트로 포밍 프로세스(electro-forming process)가 생략된 채로 저항 변화 메모리 특성이 발생되는 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC	H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자	1020120056605 (2012.05.29)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0133395 (2013.12.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.05.29)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김형섭	대한민국	서울특별시 서초구
2	이명수	대한민국	서울특별시 양천구
3	안치홍	대한민국	경기도 화성

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	남건필	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2	차상윤	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3	박종수	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0425758-97
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.07.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0499910-80
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0843550-25
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.09.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0843551-71
7	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2014.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0013351-37
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.03.04	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0210613-79
9	[대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)	2014.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-0211639-23
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-0210614-14
11	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.07.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0476400-68
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판의 상부에 배치된 제 1 전극;상기 제 1 전극의 상부에 배치된 가변 저항층으로서, 상기 가변 저항층은 산소 분위기에서 열처리에 의해 비격자 산소 이온이 생성 가능한 금속 산화물 박막으로 이루어진, 가변 저항층; 및상기 가변 저항층 상부에 배치된 제 2 전극을 포함한,저항 메모리 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 산소 분위기에서의 열처리는, 상압에서 O2 또는 O3 분위기에서 열처리된,저항 메모리 소자
3	3 제 1 항에 있어서,상기 산소 분위기에서의 열처리는, 상압에서 UV 조사된 O2 분위기에서 열처리된,저항 메모리 소자
4	4 제 1 항에 있어서,상기 가변 저항층이 결정질 HfO2 로 이루어진,저항 메모리 소자
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극이 Pt인,저항 메모리 소자
6	6 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극의 상부에 HfO2 박막으로 이루어진 가변 저항층을 형성하는 단계;상기 가변 저항층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및상기 HfO2 박막으로 이루어진 가변 저항층을 산소 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는,저항 메모리 소자 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극의 상부에 HfO2 박막으로 이루어진 가변 저항층을 형성하는 단계는,테트라키스-에틸메틸아미노하프늄 및 H2O 전구체를 준비하는 단계; 및원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)에 의해 300℃에서 제 1 전극 위에 HfO2 박막층을 성장시키는 단계를 포함하는,저항 메모리 소자 제조 방법
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 HfO2 박막으로 이루어진 가변 저항층을 산소 분위기에서 열처리하는 단계는, 상압에서 O2 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는, 저항 메모리 소자 제조 방법
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 HfO2 박막으로 이루어진 가변 저항층을 산소 분위기에서 열처리하는 단계는, 상압에서 UV 조사된 O2 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는, 저항 메모리 소자 제조 방법
10	10 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전극이 Pt인 것을 특징으로 하는, 저항 메모리 소자 제조 방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0425758-97
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
4	의견제출통지서	2013.07.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0499910-80
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0843550-25
6	[명세서등 보정]보정서	2013.09.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0843551-71
7	최후의견제출통지서	2014.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0013351-37
8	[명세서등 보정]보정서	2014.03.04	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0210613-79
9	[대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-0211639-23
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-0210614-14
11	거절결정서	2014.07.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0476400-68
12	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

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