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그래핀의 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2015143887
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 그래핀의 패터닝 방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 기재 상에 산화물 층을 형성하고; 상기 산화물 층 상에 금속 패턴을 형성하고; 상기 산화물 층 및 상기 금속 패턴 상에 그래핀 (graphene)을 전사하고; 및, 상기 그래핀에 열을 가하여 상기 금속 패턴 상의 그래핀을 기화시켜 제거하여 그래핀 패턴을 형성하는 것을 포함하는, 그래핀의 패터닝 방법에 관한 것이다.
Int. CL B29C 59/02 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC C01B 32/20(2013.01) C01B 32/20(2013.01) C01B 32/20(2013.01) C01B 32/20(2013.01) C01B 32/20(2013.01)
출원번호/일자 1020130021855 (2013.02.28)
출원인 성균관대학교산학협력단, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1400723-0000 (2014.05.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울 송파구
2 임규욱 대한민국 경북 포항시 남구
3 임종태 대한민국 서울 관악구
4 이경재 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 정석민 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 강태희 대한민국 경북 포항시 남구
7 박진우 대한민국 경기 고양시 일산동구
8 오종식 대한민국 경기 수원시 장안구
9 김성희 대한민국 울산 남구
10 양미현 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0181065-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2013-0092150-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0880189-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0164071-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0164058-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0293795-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 상에 산화물 층을 형성하고;상기 산화물 층 상에 금속 패턴을 형성하고;상기 산화물 층 및 상기 금속 패턴 상에 그래핀 (graphene)을 전사하고; 및,상기 그래핀에 열을 가하여 상기 금속 패턴 상의 그래핀을 기화시켜 제거하여 그래핀 패턴을 형성하는 것을 포함하는, 그래핀의 패터닝 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 세라믹, 금속, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 산화물 층은 실리콘, 금속, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것의 산화물; 또는 유리, 세라믹, 유리-세라믹, ITO 또는 FTO를 포함하는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴은 Au, Pt, Pd, V, Cu, Fe, Mn, Cr, W, Ni, Co, Pb, Ag, Ir, Rh, Ru, Sn, Cs, Na, Ba, Sr, Mg, Ca, Zn, Hg, Cd, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 함유하는 금속 또는 합금을 포함하는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 금속 패턴은 K, Na, Ba, Ca, Mg, Sr, Na, 및 Li 각각의 탄산염, 산화물, 할로겐화염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 추가 포함하는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화물 층 상에 금속 패턴을 형성하는 것은, 열 증발 (thermal evaporation), 전자빔 증발 (electron-beam evaporation), 전자빔 리소그래피 (electron-beam lithography), 포토리소그래피 (photolithography), 나노 임프린팅 (nano imprinting), 전사 프린팅 (transfer printing), 온-디맨드 스크린프린트 (on-demand screenprint), 잉크젯 프린팅 (inkjet printing), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 방법에 의하여 수행되는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 산화물 층 및 상기 금속 패턴 상에 그래핀을 전사하는 것은 습식 전사, 건식 전사, 롤투롤 전사, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 방법에 의하여 수행되는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 1 층 내지 100 층의 그래핀을 포함하는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 그래핀에 열을 가하여 상기 금속 패턴 상의 그래핀을 기화시키는 것은 200℃ 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 그래핀에 열을 가하여 상기 금속 패턴 상의 그래핀을 기화시키는 것은 무산소 분위기 하에서 수행되는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴 상의 그래핀을 기화시키는 것 이후에, 상기 금속 패턴을 식각하여 제거하는 것을 추가 포함하는, 그래핀의 패터닝 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 식각은 습식 식각 또는 건식 식각에 의해 수행되는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 그래핀의 패턴은 나노리본 (nanoribbons), 양자점 (quantum dots), 나노선 (nanowire), 나노다공성 (nanoperforates), 나노스트립 (nanostrips), 안티도트 (antidots), 나노라멜라 (nanolamellas), 나노아일랜드 (nanoislands), 나노플레이크 (nanoflakes), 나노그물망 (nanomesh), 또는 나노띠 (nanoband)의 모양을 가지는 것인, 그래핀의 패터닝 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.