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레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격구조물 형성방법

  • 기술번호 : KST2015214484
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PR 애싱(ashing) 및 리프트-오프(lift-off) 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태 · 물질로 구성된 구조물을 제한 없이 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 레지스트 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 구조물을 형성하는 방법에 있어서, 절연체의 상부에 포토레지스트로 패터닝할 구조물을 형성하는 공정; 상기 절연체 상부에서 포토레지스트로 형성한 구조물의 양쪽 간격을 플라즈마 애싱 공정을 통하여 포토레지스트의 두께와 양 구조물 사이의 폭을 수 나노미터까지 줄이는 공정; 및 상기 포토레지스트 및 절연체 위에 구조물로 형성할 물질층을 형성한 후, 리프트-오프 방식으로 상기 포토레지스트 상부에 존재하는 물질층을 제거하여 나노 규격의 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 레지스트 애싱, 리프트-오프 방식, 나노 전극, 나노 구조물
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/28 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01) G03F 7/40(2013.01)
출원번호/일자 1020040042806 (2004.06.11)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자 10-0588293-0000 (2006.06.02)
공개번호/일자 10-2005-0117655 (2005.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20060609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이영훈 대한민국 경기도 과천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0251921-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0002017-86
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0036187-52
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0203398-16
6 의견서
Written Opinion		 2006.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0285337-31
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0285354-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0298606-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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레지스트 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 나노 규격의 구조물을 형성하는 방법에 있어서,절연체의 상부에 형성되는 구조물층을 형성하기 위한 포토레지스트층을 패터닝하는 공정;상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 플라즈마 애싱 처리하여 폭을 줄이는 공정;상기 절연체 및 상기 애싱 처리된 포토레지스트층 위에 구조물층을 형성하는 공정; 및상기 포토레지스층을 리프트-오프 방식으로 제거하는 공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격 구조물 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마 애싱 처리는 상기 포토레지스트층의 폭을 적어도 수나노미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격 구조물 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 구조물층은 금속 또는 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격 구조물 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 구조물층은 금속 또는 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격 구조물 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.