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탄소나노물질패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014022066
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노물질패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 방법은 탄소나노물질막의 일부분을 산화유도패턴과 접촉시키는 단계, 및 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막을 산화분위기에서 열처리하여 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막의 일부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020080100014 (2008.10.13)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0979387-0000 (2010.08.25)
공개번호/일자 10-2010-0041034 (2010.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지범 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이종학 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0710410-05
2 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0367033-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노물질막의 일부분을 산화유도패턴과 접촉시키는 단계; 및 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막을 산화분위기에서 열처리하여, 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막의 일부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노물질패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화유도패턴은 상기 탄소나노물질에 비해 환원전위(reduction potential)가 높은 물질 또는 그 물질의 산화물인 탄소나노물질패턴 형성 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 산화유도패턴은 Au, Pt, Pd, Ag, Po, Hg, Tl, Rh, Cu, Ru, W, Mo, Fe, Ge, Re, Rh, Ir, Bi, Tc, Te, Ga, Pb, Co, Ni, Cr, Zn, Mn, Ba, K, Rb, 및 Sr로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속막, 또는 PbO2 및 CrO2 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속산화물을 포함하는 금속산화물막인 탄소나노물질패턴 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화분위기는 수분 또는 산소를 포함하는 분위기인 탄소나노물질패턴 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도에서 수행하는 탄소나노물질패턴 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 탄소나노물질막의 일부분을 상기 산화유도패턴과 접촉시키는 단계는 기판 상에 상기 산화유도패턴을 형성하는 단계; 및 상기 산화유도패턴 상에 상기 탄소나노물질막을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노물질패턴 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 산화유도패턴을 형성하는 단계는 상기 기판과 상기 산화유도패턴 사이에 위치하는 접착패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 탄소나노물질패턴 형성 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 탄소나노물질막의 일부분을 상기 산화유도패턴과 접촉시키는 단계는 기판 상에 탄소나노물질막을 형성하는 단계; 및 상기 탄소나노물질막 상에 스탬프 내에 구비된 상기 산화유도패턴을 위치시키는 단계를 포함하는 탄소나노물질 패턴 형성방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 스탬프는 스탬프 기판 상에 차례로 적층된 접착패턴과 상기 산화유도패턴을 구비하는 탄소나노물질패턴 형성 방법
10 10
제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 접착패턴은 Ti막 또는 Cr막인 탄소나노물질패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.