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전도성 기판;상기 전도성 기판의 일면 상에 형성되어 있는 금속 산화물 나노 구조체; 및상기 나노 구조체 사이의 기공을 채우는 금속 산화물 나노 입자를 포함하는,태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체 사이의 기공의 크기가 1μm 이하가 되도록, 상기 금속 산화물 나노 입자가 상기 나노 구조체 사이의 기공을 채우고 있는 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체는 나노 로드, 나노 와이어 및 나노 니들로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 구조체는,도핑되거나 도핑되지 않은 인듐 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물, 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 카드뮴 산화물, 안티모니 산화물, 니오븀 산화물, 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트 및 카드뮴 술파이드와 (La0
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제 4 항에 있어서,상기 도핑된 인듐 산화물은 Sn-도핑된 인듐 산화물 (Indium Tin Oxide: ITO), IGZO, IGO 및 IZO로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하고, 상기 도핑된 주석 산화물은 F-도핑된 주석 산화물(Fluorine Tin Oxide : FTO, F:SnO2)을 포함하고, 상기 도핑된 아연 산화물은 Ga-도핑된 아연 산화물(GZO) 및 Al-도핑된 아연 산화물(AZO)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하고, 상기 도핑된 스트론튬 티타네이트는 Nb:SrTiO2을 포함하며,상기 도핑된 티타늄 산화물은 Nb:TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자는,TiO2, ZnO, SnO2, WO3, Fe2O3, Zn2SnO3, BaTiO3 및 BaSnO3으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 구조체와 상기 금속 산화물 나노 입자 간의 굴절률의 차이가 1이하인 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자의 표면에는 광흡수체가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 8 항에 있어서,상기 광흡수체는 유기 염료 또는 무기 염료인 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 9 항에 있어서,상기 유기 염료는 루테늄계 유기 염료인 것을 특징으로 하는,태양전지용 광전극
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제 9 항에 있어서,상기 무기 염료는,CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, InP, InGaP, InAs, InCuS2, InCuSe2,CuFeS2, InN, In2S3, InSb, PbS, PbSe, Bi2S3, Bi2Se3, Sb2S3, Sb2Se3, SnTe, SnSx, NiS
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 태양전지용 광전극;상기 광전극과 대향하는 대향 전극; 및상기 광전극과 상기 대향 전극 사이를 채우는 전해질을 포함하는,태양전지
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