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박막 증착 장치에 있어서,기재가 로딩되는 기재 로딩부,상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하되,상기 박막 증착부는 소스 플라즈마를 발생시키는 소스 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 반응 플라즈마 모듈이 서로 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 모듈 및, 상기 각각의 플라즈마 모듈사이에 배치되어 상승 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 기재 로딩부를 교번 이동하여 상기 기재상에 박막을 증착하되,상기 박막 증착부는 상기 격리부를 하강시켜 소스 플라즈마 모듈과 인접한 반응 플라즈마 모듈 사이를 분리시키고, 상기 기재 수송부가 상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 인접한 반응 플라즈마 모듈의 하부에 위치하는 경우, 상기 격리부를 상승시키고 상기 소스 플라즈마 모듈과 상기 인접한 반응 플라즈마 모듈 사이의 하부의 공간을 연결시켜 박막이 증착되도록 하는 것인 박막 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 박막 증착부는 상기 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 각기 다른 플라즈마 모듈에서 발생시키는 것인 박막 증착 장치
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제 2항에 있어서,상기 박막 증착부는 제 1 소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈, 및 제 2 소스 플라즈마를 발생 시키는 제 3 플라즈마 모듈을 포함하고, 상기 제 1 소스 플라즈마와 제 2 소스 플라즈마는 서로 다른 물질인 것인 박막 증착 장치
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제 2항에 있어서, 상기 소스 플라즈마는 전구체 플라즈마를 포함하는 것인 박막 증착 장치
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제 4항에 있어서,상기 전구체는 지르코늄(Zirconium, Zr), 트리에틸메틸아미노지르코늄(Tri Ethyl Methyl Amino Zirconium, TEMA-Zr), 실란(SiH4), 테오스(Tetraethly orthosilicate, TEOS), 실리콘(Si), 티타늄(Ti) 중 어느 하나인 것인 박막 증착 장치
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제 2항에 있어서, 상기 반응 플라즈마는 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 플라즈마 중 어느 하나를 포함하는 것인 박막 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 박막 증착부는소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈 및 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈의하부에 위치하는 경우, 상기 제 1 플라즈마 모듈의 타측부 또는 상기 제 2 플라즈마 모듈의 타측부에 위치한 격리부를 하강시켜 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고, 상기 기재상에 상기 제 1 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스와 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입함으로써 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 박막 증착부는소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈, 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈, 소스 플라즈마를 발생시키는 제 3 플라즈마 모듈 및 반응 플라즈마를 발생시키는 제 4 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 제 2 플라즈마 모듈 및 상기 제 3 플라즈마 모듈의하부에 위치하는 경우, 상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부와 상기 제 3 플라즈마 모듈 및 상기 제 4 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 하강시켜 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고, 상기 제 2 플라즈마 모듈 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고,상기 기재상에 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스와 상기 제 3 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입함으로써 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치
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제 1항에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 화학기상증착(Chemical Vapor Deosition)방법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)방법을 이용하여 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치
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제 1항에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기재 수송부의 하부에 기재히터를 더 포함하는 것인 박막 증착 장치
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박막 증착 방법에 있어서,소스 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈이 교차되어 배열된 박막 증착부를 포함하는 박막 증착 장치에 기재를 배치하는 단계;상기 기재를 서로 인접한 제 1 플라즈마 모듈 및 제 2 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 상기 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마를 이용하여 제 1 박막을 형성하는 단계 및상기 기재를 서로 인접한 제 2 플라즈마 모듈 및 제 3 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 상기 반응 플라즈마 및 소스 플라즈마를 이용하여 제 2 박막을 형성하는 단계를 포함하되,제 1 박막을 형성하는 단계는 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시켜, 상기 기재상에 상기 제 1 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스와 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입하고, 제 2 박막을 형성하는 단계는 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고, 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시켜, 상기 기재상에 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스와 상기 제 3 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입하는 것인 박막 증착 방법
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제 11항에 있어서,상기 제 1박막을 형성하는 단계 및 제 2 박막을 형성하는 단계를 미리 설정된 횟수만큼 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 박막 증착 방법
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