맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 증착 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015144074
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 기재가 로딩되는 기재 로딩부, 기재 로딩부에 결합되어 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함한다. 이때, 박막 증착부는 복수의 플라즈마 모듈을 포함하고, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 배치되어 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하며, 기재 수송부가 기재 로딩부를 교번 이동하여 기재상에 박막이 증착된다.
Int. CL C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01)
CPC C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01)
출원번호/일자 1020140089854 (2014.07.16)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1491762-0000 (2015.02.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.16)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서상준 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 박화선 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 정호균 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 조성민 대한민국 경기도 군포시 산본로***번길 **, **
5 유지범 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아르케 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0669091-77
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0700903-19
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.07.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.08.05 수리 (Accepted) 9-1-2014-0061540-36
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0753232-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0594094-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1035238-78
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1035239-13
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0854700-16
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1238328-39
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1238327-94
12 등록결정서
Decision to grant
2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0068187-57
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1261421-21
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 증착 장치에 있어서,기재가 로딩되는 기재 로딩부,상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하되,상기 박막 증착부는 소스 플라즈마를 발생시키는 소스 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 반응 플라즈마 모듈이 서로 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 모듈 및, 상기 각각의 플라즈마 모듈사이에 배치되어 상승 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 기재 로딩부를 교번 이동하여 상기 기재상에 박막을 증착하되,상기 박막 증착부는 상기 격리부를 하강시켜 소스 플라즈마 모듈과 인접한 반응 플라즈마 모듈 사이를 분리시키고, 상기 기재 수송부가 상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 인접한 반응 플라즈마 모듈의 하부에 위치하는 경우, 상기 격리부를 상승시키고 상기 소스 플라즈마 모듈과 상기 인접한 반응 플라즈마 모듈 사이의 하부의 공간을 연결시켜 박막이 증착되도록 하는 것인 박막 증착 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 박막 증착부는 상기 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 각기 다른 플라즈마 모듈에서 발생시키는 것인 박막 증착 장치
3 3
제 2항에 있어서,상기 박막 증착부는 제 1 소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈, 및 제 2 소스 플라즈마를 발생 시키는 제 3 플라즈마 모듈을 포함하고, 상기 제 1 소스 플라즈마와 제 2 소스 플라즈마는 서로 다른 물질인 것인 박막 증착 장치
4 4
제 2항에 있어서, 상기 소스 플라즈마는 전구체 플라즈마를 포함하는 것인 박막 증착 장치
5 5
제 4항에 있어서,상기 전구체는 지르코늄(Zirconium, Zr), 트리에틸메틸아미노지르코늄(Tri Ethyl Methyl Amino Zirconium, TEMA-Zr), 실란(SiH4), 테오스(Tetraethly orthosilicate, TEOS), 실리콘(Si), 티타늄(Ti) 중 어느 하나인 것인 박막 증착 장치
6 6
제 2항에 있어서, 상기 반응 플라즈마는 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 플라즈마 중 어느 하나를 포함하는 것인 박막 증착 장치
7 7
제 1항에 있어서,상기 박막 증착부는소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈 및 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈의하부에 위치하는 경우, 상기 제 1 플라즈마 모듈의 타측부 또는 상기 제 2 플라즈마 모듈의 타측부에 위치한 격리부를 하강시켜 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고, 상기 기재상에 상기 제 1 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스와 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입함으로써 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 박막 증착부는소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈, 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈, 소스 플라즈마를 발생시키는 제 3 플라즈마 모듈 및 반응 플라즈마를 발생시키는 제 4 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 제 2 플라즈마 모듈 및 상기 제 3 플라즈마 모듈의하부에 위치하는 경우, 상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부와 상기 제 3 플라즈마 모듈 및 상기 제 4 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 하강시켜 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고, 상기 제 2 플라즈마 모듈 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고,상기 기재상에 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스와 상기 제 3 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입함으로써 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치
9 9
제 1항에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 화학기상증착(Chemical Vapor Deosition)방법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)방법을 이용하여 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치
10 10
제 1항에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기재 수송부의 하부에 기재히터를 더 포함하는 것인 박막 증착 장치
11 11
박막 증착 방법에 있어서,소스 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈이 교차되어 배열된 박막 증착부를 포함하는 박막 증착 장치에 기재를 배치하는 단계;상기 기재를 서로 인접한 제 1 플라즈마 모듈 및 제 2 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 상기 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마를 이용하여 제 1 박막을 형성하는 단계 및상기 기재를 서로 인접한 제 2 플라즈마 모듈 및 제 3 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 상기 반응 플라즈마 및 소스 플라즈마를 이용하여 제 2 박막을 형성하는 단계를 포함하되,제 1 박막을 형성하는 단계는 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시켜, 상기 기재상에 상기 제 1 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스와 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입하고, 제 2 박막을 형성하는 단계는 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고, 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시켜, 상기 기재상에 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스와 상기 제 3 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입하는 것인 박막 증착 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 제 1박막을 형성하는 단계 및 제 2 박막을 형성하는 단계를 미리 설정된 횟수만큼 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 박막 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105473761 CN 중국 FAMILY
2 WO2016010185 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105473761 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105473761 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 WO2016010185 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 대학ICT연구센터육성지원사업 차세대AMOLED 핵심원천기술개발 및 연구 인력 양성