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(a1) 기판상에 물질 A를 증착시켜 제1층을 형성시키는 단계;(a2) 제1층 상에 물질 A 및 물질 B의 제1 화합물을 증착시켜 제2층을 형성시키는 단계;(a3) 제2층 위에 물질 B를 추가증착시켜 제3층을 형성시키는 단계;(a4) 제1층 내지 제3층으로 이루어진 적층형 전구체에 가열처리를 하여 제2층의 제1 화합물이 스피노달(spinodal) 상분리를 통해 물질 A와 물질 B의 고상 제2화합물 및 액상 물질 A로 상분리를 시키는 단계; 및(a5) 제1층의 물질 A를 (a4) 단계의 액상화된 물질 A를 통해 제2 화합물로 확산시켜 나노선 형상으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서,제1 화합물은 스피노달(spinodal) 상분리가 가능한 물질인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 2에 있어서,제1 화합물은 안티몬-셀린(Sb-Se), 황화납(PbS), 셀레늄화납(PbSe) 및 텔루륨화주석(SnTe) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서,제1 화합물은 비등방성(anisoptropy) 구조인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서,물질 B는 물질 A보다 낮은 녹는점과 높은 증기압을 가지는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서물질 A는 안티몬(Sb)이고, 물질 B는 셀렌(Se)이고, 제1 화합물은 안티몬-셀린(Sb-Se)이고, 제2 화합물은 Sb2Se3 인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서,(a1) 단계 및 (a2) 단계의 증착방법은 전기화학증착법(electrodeposition)인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서,(a3) 단계의 증착방법은 열증착법(thermal evaporation)인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서,(a4) 단계의 가열처리는 급속열처리법(RTA:Rapid thermal annealing)인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 9에 있어서,가열처리온도는 100℃~450℃이고, 가열처리시간은 1분 이상인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 10에 있어서,가열처리온도는 350℃이고, 가열처리시간은 30분 이상인 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 9에 있어서,승온은 10℃/분 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 12에 있어서,승온은 20℃/분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 9에 있어서,가열처리가 진행되는 동안, 압력은 물질 A, 물질 B 및 제2화합물의 승화가 이루어지지 않는 수준으로 유지되는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 1에 있어서, (a5) 단계 후에 진공분위기를 제공하여 잔존한 물질 B를 증발시켜 선택적으로 제거시키는 (a6) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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청구항 15에 있어서,물질 B의 증기압보다 낮은 압력으로 유지되는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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(b1) 기판상에 안티몬(Sb)을 증착시켜 제1층을 형성시키는 단계;(b2) 제1층 상에 안티몬(Sb) 및 셀렌(Se)의 화합물(Sb-Se)을 증착시켜 제2층을 형성시키는 단계;(b3) 제2층 위에 셀렌(Se)을 추가 증착시켜 제3층을 형성시키는 단계;(b4) 제1층 내지 제3층으로 이루어진 적층형 전구체에 가열처리를 하여 제2층의 화합물(Sb-Se)이 스피노달(spinodal) 상분리를 통해 안티몬(Sb) 및 셀렌(Se)의 고상 화합물(Sb2Se3) 및 액상 셀렌(Se)으로 상분리를 시키는 단계;(b5) 제1층의 안티몬(Sb)을 층이 액상화된 셀렌(Se)을 통해 안티몬(Sb)이 Sb2Se3 로 확산시켜 나노선 형상으로 성장시키는 단계; 및(b6) 진공분위기를 제공하여 잔존한 셀렌(Se)을 증발시켜 선택적으로 제거시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 전구체로 스피노달 상분리를 발생시켜 나노구조체를 합성하는 방법
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