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기판 상에 마그네슘(Mg)을 함유하는 전구체 및 산소가 공급되는 S1 단계;기판 상에 비정질의 마그네슘 산화막 층(MgO 층)이 성장되는 S2 단계;마그네슘(Mg)을 함유하는 전구체의 공급을 중단하고 아연(Zn)을 함유하는 전구체 및 산소가 공급되는 S3 단계; 및마그네슘 산화막 층 상에 산화아연(ZnO) 나노선이 성장하는 S4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 S1 및 S2 단계를 거쳐 성장되는 MgO 층의 두께가 5 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 S1 및 S2 단계에서 마그네슘(Mg)을 함유하는 전구체가 1 내지 5 μmol/min의 유량으로 20 내지 30분간 공급되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 S1 내지 S4 단계가 500 내지 600℃의 온도에서 1 torr 미만의 압력으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서, 기판 상에 공급되는 마그네슘(Mg)과 산소의 유량비는 1 : 800 내지 1 : 1,440이고 아연(Zn)과 산소의 유량비는 1 : 180 내지 1 : 200인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마그네슘(Mg)을 함유하는 전구체는 비스-사이클로펜타디닐마그네슘(Cp2Mg), 이오딘화메틸마그네슘(MeMgI) 및 디메틸마그네슘(Et2Mg)으로 이루어진 일군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연(Zn)을 함유한 전구체는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트[Zn(OOCCH3)2H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 일군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마그네슘(Mg)을 함유한 전구체 및 상기 아연(Zn)을 함유하는 전구체는 불활성 기체로 이루어진 캐리어 가스에 의해 공급되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 캐리어 가스는 500 내지 600℃의 온도에서 1 torr 미만의 압력으로 공급되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산소는 산소함유 가스에 의해 공급되며, 상기 산소함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 일군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 산소함유 가스는 500 내지 600℃의 온도에서 1 torr 미만의 압력으로 공급되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 S4 단계에서 성장되는 ZnO 나노선은 MgO 층 상에 수직되는 방위로 성장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 S4 단계에서 성장되는 ZnO 나노선은 직경이 15~25nm인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 MgO 층 및 ZnO 나노선의 성장은 유기금속 화학기상증착법, 기상 에피택시 및 분자빔 에피택시로 이루어진 일군으로부터 선택된 어느 하나로 수행되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 GsAs 기판인 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ZnO 나노선은 우르짜이트(wurtzite) 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항 내지 제16항 중 어느 하나의 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 MgO 층이 삽입된 산화아연 나노구조체
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