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유리 기판을 준비하는 단계;상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계;상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계;상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계;패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 패터닝된 마스크층은 규칙적으로 배열된 복수개의 다각형 또는 원형의 개구를 포함하며, 상기 패터닝된 마스크층을 이용해 유리 기판의 표면을 식각할 경우 상기 규칙적으로 배열된 복수개의 다각형 또는 원형 형상의 요철이 상기 유리 기판에 형성되는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각은 습식 또는 건식 식각 방식으로 식각되는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각 공정은 상기 유리 기판의 표면의 다각형 또는 원형 형상의 요철의 둘레의 단차 피복이 없도록 이루어지는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴화된 유리 기판 위에 투명 전도막을 증착하는 단계를 추가로 포함하는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 투명 전도막을 증착한 이후 산(acid)을 이용하여 건식 또는 습식 후처리(post etching treatment)를 하는 단계를 추가로 포함하는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 6 항에 있어서,상기 투명 전도막은 ITO, AZO, ZnO, GZO, ITZO, IGZO 중 어느 하나를 이용하는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 6 항에 있어서,상기 투명 전도막의 증착은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 증착되는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법
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제 8 항에 있어서,상기 마그네트론 스퍼터링은 1x10-6 Torr 미만의 기본 진공 압력, 1~10mTorr의 작동 압력, Ar 작동 가스, 직류 또는 무선주파수 13
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제 6 항에 있어서,상기 후처리는 0
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제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 투명 전도막이 증착된 패턴화된 태양전지용 유리 기판을 준비하는 단계;상기 투명 전도막 상에 이중층 p형 반도체층을 증착하는 단계;상기 p형 반도체층 위에 i형 반도체층을 증착하는 단계;상기 i형 반도체층 위에 n형 반도체층을 증착하는 단계; 및상기 n형 반도체층 상에 전극층을 증착하는 단계를 포함하고,상기 이중층 p형 반도체층은, 산화물이 포함된 p형 반도체층을 상기 투명 전도막 상에 증착한 이후, 그 위에 μc-Si:H의 p형 반도체층을 증착되는 구조를 갖는,패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법
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제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 투명 전도막이 증착된 패턴화된 태양전지용 유리 기판을 준비하는 단계;상기 투명 전도막 상에 이중층 p형 반도체층을 증착하는 단계;상기 p형 반도체층 위에 i형 반도체층을 증착하는 단계;상기 i형 반도체층 위에 n형 반도체층을 증착하는 단계; 및상기 n형 반도체층 상에 전극층을 증착하는 단계를 포함하고,상기 n형 반도체층은 μc-SiO:H 이 이용되며, 이에 의해 1
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제 12 항에 있어서,상기 이중층 구조에 의해 μc-SiO:H의 p형 반도체층의 밴드갭이 1
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