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실리콘 광증배관 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 복수의 트랜치를 형성하는 단계;상기 트랜치 내부를 산화물(oxide)로 갭필(gap fill)하며 상기 기판 상에 산화물(oxide)을 적층하는 단계;갭필된 상기 트랜치 상에 상기 산화물의 일부가 잔류되도록, 상기 산화물의 상기 트랜치 상에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계;상기 기판 및 잔류된 상기 산화물 상에 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막의 일부를 제거하여, 상기 트랜치의 상단부 및 상기 트랜치 상에 잔류된 상기 산화물의 둘레를 따라 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계는,상기 트랜치의 상단부 및 상기 트랜치에 갭필된 산화물의 손상이 방지되도록, 상기 스페이서의 하단을 미리 설정된 외측 방향으로의 두께로 형성하는 것인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계에서,상기 스페이서의 미리 설정된 외측 방향으로의 두께는, 상기 트랜치의 상단부 및 상기 트랜치에 갭필된 산화물의 상단부의 손상을 방지하는 두께인 것인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계는,상기 스페이서를 라운드형으로 형성하는 것인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계에서,제거되는 상기 보호막의 일부는, 상기 보호막에 있어서, 상기 스페이서의 형성 예정 부분을 제외한 나머지 부분인 것인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 보호막은 질화 규소(silicon nitride)인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화물의 상기 트랜치 상에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계는, 포토레지스트 마스크를 통해 수행되는 것인 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계 이후에,상기 각 마이크로 픽셀 영역에 PN 접합층을 형성하는 단계;상기 기판의 상부면에 광 입사부 박막을 적층하는 단계;상기 광 입사부 박막에 상기 마이크로 픽셀 영역의 PN 접합층과 접촉하기 위한 컨택을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 광증배관 소자의 제조 방법
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