| 1 |
1
기판상에 형성되는 초격자구조 박막을 갖는 반도체소자에 있어서,상기 초격자구조 박막은 기판상에 절연성 박막과 반도성 박막이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 절연성 박막은 Al2O3 로 이루어지며, 상기 반도성 박막은 ZnO로 이루어지는 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 초격자구조 박막은 스퍼터링(Sputtering), 분자선에피택시법(MBE), 이배퍼레이터(evaporator), 화학기상증착법(CVD), 원자층증착법(ALD) 또는 졸겔법(sol-gel) 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 초격자구조 박막 내의 활성층은 반도성 박막인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 초격자구조 박막 밴드의 경우,반도성 박막 물질의 전도대는 절연성 박막 물질의 전도대 보다 낮고, 반도성 박막 물질의 가전자대는 절연성 박막 물질의 가전자대보다는 높은 구조인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 초격자구조 박막 밴드의 경우,반도성 박막 물질의 전도대는 절연성 박막 물질의 전도대보다 낮고, 반도성 박막 물질의 가전자대는 절연성 박막 물질의 가전자대보다는 낮은 구조인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 초격자구조 박막 밴드의 경우,반도성 박막 물질의 전도대는 절연성 박막 물질의 전도대보다 높고,반도성 박막 물질의 가전자대는 절연성 박막 물질의 가전자대보다도 높은 구조인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,초격자구조 박막의 종방향(a)으로 전류 흐름을 갖는 구조의 경우,절연성 박막의 두께(t1)는 0 003c# t1 ≤ 10nm 이고,반도성 박막의 두께(t2)는 0 003c# t2 ≤ 100nm 인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,반도성 박막의 두께(t2)를 일정하게 하고, 절연성 박막의 두께(t1)를 조절하여 전류량을 제어하는 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,초격자구조 박막의 횡방향(b)으로 전류 흐름을 갖는 구조의 경우,절연성 박막의 두께(t1)는 10nm 003c# t1 003c# 100nm 이고,반도성 박막의 두께(t2)는 0 003c# t2 ≤ 100nm 인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,절연성 박막의 두께(t1)를 일정하게 하고, 반도성 박막의 두께(t2)를 조절하여 전류량을 제어하는 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 12 |
12
청구항 1에 있어서,초격자구조 박막의 종방향(a) 및 횡방향(b)의 전류 흐름을 동시에 갖는 양방향 구조의 경우,절연성 박막의 두께(t1)는 0 003c# t1 ≤ 10nm 이고,반도성 박막의 두께(t2)는 0 003c# t2 ≤ 100nm 인 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 13 |
13
청구항 12에 있어서,반도성 박막의 두께(t2)를 일정하게 하고, 절연성 박막의 두께(t1)를 조절하여 전류량을 제어하는 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
| 14 |
14
청구항 12에 있어서,반도성 박막의 두께(t2)와 절연성 박막의 두께(t1)를 동시에 조절하여 전류량을 제어하는 것을 특징으로 하는반도성 박막과 절연성 박막으로 적층형성된 초격자구조 박막이 구비된 반도체소자
|
