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그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 유연성 전자 디바이스

  • 기술번호 : KST2015144531
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체에 관한 것으로서, 구체적으로, 제 1 그래핀 전극 및 제 2 그래핀 전극 사이에 형성된 자기조립 단분자층을 포함하며, 상기 제 1 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 화학적으로 결합된 것이며, 상기 제 2 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 물리적으로 결합된 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130137140 (2013.11.12)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1465214-0000 (2014.11.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기 수원시 장안구
2 서소현 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1030259-20
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0428545-63
3 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search
2014.05.08 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0042319-62
6 등록결정서
Decision to grant
2014.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0355745-44
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 그래핀 전극 및 제 2 그래핀 전극 사이에 형성된 자기조립 단분자층을 포함하며,상기 제 1 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 화학적으로 결합된 것이며, 상기 제 2 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 물리적으로 결합된 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단분자층은 아릴 디아조늄계 양이온을 함유하는 유기 분자로부터 형성되는 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 아릴 디아조늄계 양이온은 1-페닐옥탄 디아조늄 양이온 (N2+-PhC8), 1-페닐데칸 디아조늄 양이온 (N2+-PhC10), 1-페닐도데칸 디아조늄 양이온 (N2+-PhC12), 1-페닐데칸아조벤젠 디아조늄 양이온 (N2+-PhC10AB), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택된 디아조늄 양이온을 포함하는 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 그래핀 전극 및/또는 제 2 그래핀 전극은 화학기상증착법, 스핀코팅, 또는 침지법에 의해 형성된 그래핀 또는 용액상 공정에 의해 형성된 환원된 산화 그래핀을 포함하는 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체를 포함하는, 유연성 전자 디바이스
6 6
제 1 그래핀 전극 상에 자기조립에 의해 단분자층을 형성하는 단계; 및, 상기 단분자층 상에 제 2 그래핀 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 화학적으로 결합된 것이며, 상기 제 2 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 물리적으로 결합된 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 그래핀 전극 및/또는 제 2 그래핀 전극은 화학기상증착법, 스핀코팅, 또는 침지법에 의해 형성된 그래핀 또는 용액상 공정에 의해 형성된 환원된 산화 그래핀을 포함하는 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 단분자층은 아릴 디아조늄계 양이온을 함유하는 유기 분자로부터 형성되는 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체의 제조 방법
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2 US20150129280 US 미국 FAMILY

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2 US2015129280 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 리더연구자지원사업- 창의적연구지원사업 3단계 1/3(7/9) 기능성 분자메모리 연구단