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원자층 식각 장치

  • 기술번호 : KST2015144547
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마의 포텐셜을 조절하여 원자층 식각을 수행할 수 있는 중성빔을 이용한 원자층 식각 장치에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 식각 장치는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01)
출원번호/일자 1020100016899 (2010.02.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0097193 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 임웅선 대한민국 서울특별시 마포구
3 김이연 대한민국 충청남도 태안군
4 박병재 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 연제관 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0122571-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 자장 인가 수단은 상기 플라즈마 챔버를 감싸는 전자석으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
3 3
제 2항에 있어서, 상기 자장 인가 수단은 전원 인가 수단과 연결되며, 상기 전원 인가 수단을 통하여 인가되는 전원의 전류를 조절하여 플라즈마 포텐셜을 조절하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 그리드 어셈블리는 최상부로부터 제 1, 제 2 및 제 3 그리드의 3개의 그리드를 포함하며, 각각 일정 간격 이격되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제 1 그리드는 양(+) 전압, 제 2 그리드는 OV, 제 3 그리드는 양(+) 전압이 인가되어 이온빔을 추출하며, 상기 제 1 그리드는 제 3 그리드보다 높은 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 정부)교과부-연구재단(구과학재단)-21C 프론티어 테라급나노소자개발사업 나노소자용 식각장비 제작 및 공정 개발