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하기 화학식 1로 표시되는 제1 전구체 물질 및 25℃, 1기압에서 액체상태의 C6-C12의 탄화수소인 제2전구체물질을 함께 증착하여 제조되는 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막:[화학식 1]상기 식에서, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 H 또는 C1-C5 알킬이다
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제1항에 있어서, 상기 제2 전구체 물질은 C6-C12의 알칸(alkane), 알켄(alkene), 사이클로알칸(cycloalkane) 또는 사이클로알켄(cycloalkene)인 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제1항에 있어서, 상기 제2 전구체 물질은 사이클로헥산(cyclohexane)인 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제1항에 있어서, 상기 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막은 플라즈마 보강 CVD법을 이용하여 제조된 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제1항에 있어서, 상기 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막은 후열처리된 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제1항에 있어서, 상기 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막은 제1 전구체 물질 및 제2 전구체 물질의 투입비율과 대응하는 제1 운반 기체 : 제2 운반 기체의 유량비를 1:1 내지 1:5의 비율로 조절함으로써 제조된 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제1항에 있어서, 상기 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 제1 전구체 물질은 테트라키스(트리메틸실릴옥시)실란 (Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane)인 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막
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플라즈마 보강 CVD법으로, 하기 화학식 1로 표시되는 제1 전구체 물질 및 25℃, 1기압에서 액체상태의 C6-C12의 탄화수소인 제2전구체물질을 함께 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 제1단계; 및상기 증착된 박막을 후열처리하는 제2단계를 포함하는 것인 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조방법:[화학식 1]상기 식에서, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 H 또는 C1-C5 알킬이다
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제10항에 있어서, 상기 제2 전구체 물질은 C6-C12의 알칸, 알켄, 사이클로알칸 또는 사이클로알켄인 것인 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2 전구체 물질은 사이클로헥산(cyclohexane)인 것인 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 전구체 물질은 테트라키스(트리메틸실릴옥시)실란 (Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane)인 것인 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1단계는,거품기 내에서 상기 제1 전구체 물질 및 제2 전구체 물질을 증발시키는 제a단계;상기 증발된 전구체 물질을 상기 거품기로부터 배출하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 제b단계; 및상기 반응기의 플라즈마를 이용하여 상기 반응기 내의 기판 위에 플라즈마 중합된 박막을 형성하는 제c단계를 포함하는 것인 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 반응기로 공급되는 전력은 10 W 내지 50 W인 것인 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2단계는 기판을 300℃ 내지 600℃에서 1분 내지 5분 동안 열처리하여 수행되는 것인 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2단계는 질소가스를 이용하여 1×10-1 내지 100×10-1 Torr의 압력 하에서 진행되는 것인 제조방법
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