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플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144787
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로서, 강유전체층과 반도체층 사이의 계면에 고분자　접착층을 형성함으로써 계면에서의 전기적 특성 및 물리화학적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020110062839 (2011.06.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0001657 (2012.01.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100062280   |   2010.06.29
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130023038;1020130023040;1020130023041;
심사청구여부/일자 Y (2011.06.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종현 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 노종현 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0492445-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031247-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0734808-98
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0101015-17
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0190256-78
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0190240-48
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0190225-63
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0190252-96
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0190226-19
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0527845-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 기판 상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 강유전체층;상기 강유전체층 상에 형성된 제 2 전극; 및상기 제 2 전극 상에 형성되는 고분자 보호층:을 포함하는, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고분자　보호층은 PR(포토레지스트), 에폭시수지，사이톱(cytop), 폴리이미드(polyimide), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), PDMS(polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 강유전체층은 PZT(Lead Zirconate Titanate), PLZT(Lanthanum-modified Lead Zirconate Titanate), BLT(Bismuth Lanthanum Titanate), BST(Barium Strontium Titanate), SBT(Strontium Bismuth Tantalate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 강유전체층은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 펄스레이저증착(Pulsed Laser Deposition, PLD) 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터
5 5
플렉서블 기판 상에 형성되는 반도체 채널층;상기 반도체 채널층의 양측에 각각 형성되는 소스/드레인 영역;상기 반도체 채널층 상에 형성되는 고분자 접착층;상기 고분자 접착층 상에 형성되는 제 1 절연층;상기 제 1 절연층 상에 형성되는 제 2 절연층;상기 제 2 절연층 상에 형성되는 강유전체층; 상기 강유전체층 상에 형성되는 게이트 전극; 및상기 소스/드레인 영역 상에 형성되는 소스/드레인 전극:포함하는, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 절연층 및 상기 제 2 절연층은 각각 독립적으로 TiO2, SrTiOx, ZrO2, LiNbO3, Al2O3, SiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
7 7
제 5 항에 있어서,상기 고분자 접착층은 PR(포토레지스트), 에폭시 수지, 사이톱(cytop), 폴리이미드(polyimide), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), PDMS(polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
8 8
제 5 항에 있어서,상기 강유전체층은 진공증착법 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
9 9
플렉서블 기판 상에 형성되는 반도체 채널층;상기 반도체 채널층의 양측에 형성되는 소스/드레인 영역;상기 반도체 채널층 상에 형성되는 배리어층;상기 배리어층 상에 형성되는 강유전체층;상기 소스/드레인 영역 상에 형성되는 소스/드레인 전극; 및상기 강유전체층 상에 형성되는 게이트 전극:을 포함하는, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
10 10
제 9 항에 있어서,상기 배리어층은 절연성인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
11 11
제 10 항에 있어서,상기 절연성 배리어층은 TiO2, SrTiOx, ZrO2, LiNbO3, Al2O3, SiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
12 12
제 9 항에 있어서,상기 강유전체층은 진공증착법 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자
13 13
플렉서블 기판 상에 형성되는 반도체 채널층;상기 반도체 채널층의 양측에 각각 형성되는 소스/드레인 영역;상기 드레인 영역 상에 형성되는 배리어층;상기 배리어층 상에 형성되는 강유전체층;상기 반도체 채널층 및 상기 강유전체층 상에 형성되는 절연층; 및상기 소스/드레인 영역에 형성되는 소스/드레인 전극:을 포함하는, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자
14 14
제 13 항에 있어서,상기 배리어층은 Pt, Ir, Ru, Rh, SrO, PdO, IrOx, RuOx, RhOx, OsOx 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자
15 15
제 13 항에 있어서,상기 강유전체층은 진공증착법 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자
16 16
제 1 기판 상에 희생층을 형성하고;상기 희생층 상에 절연층을 형성하고;상기 절연층 상에 제 1 전극, 강유전체층 및 제 2 전극이 순서대로 적층된 강유전체 적층체를 형성하고;상기 희생층을 에칭하여 제거한 후 상기 강유전체 적층체의 상부에 스탬프(stamp)를 접촉시켜 상기 제 1 기판으로부터 상기 절연층 및 상기 강유전체 적층체를 분리시키고;상기 분리된 절연층 및 강유전체 적층체를 열박리성 제 2 기판 상에 상기 절연층이 접촉되도록 전사하고;상기 제 2 기판에 전사된 상기 절연층 및 상기 강유전체 적층체를 컨택트층이 형성된 플렉서블 기판 상에 상기 강유전체 적층체가 접촉되도록 전사하고; 상기 플렉서블 기판으로 전사된 상기 강유전체 적층체 및 상기 절연층 상에 고분자 보호층을 형성하고; 및상기 절연층 및 그에 형성된 상기 고분자 보호층의 일부를 제거하고 컨택트층을 형성하는 것:을 포함하는, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 산화막을 포함하는 것인, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 고분자 보호층은 PR(포토레지스트), 에폭시 수지, 사이톱(Cytop), 폴리이미드(polyimide), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), PDMS(polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터의 제조 방법
19 19
제 16 항에 있어서,상기 절연층 및 상기 고분자 보호층은 열처리에 의해서 결합되는 것인, 플렉서블 비휘발성　메모리　소자용　강유전체 캐패시터의 제조 방법
20 20
기판 상에 희생층을 형성하고;상기 희생층 상에 제 1 절연층 및 제 2 절연층을 순서대로 형성하고;상기 제 2 절연층 상에 강유전체층을 형성하고;상기 강유전체층 상에 게이트 전극을 형성하여 강유전체 게이트를 형성하고;상기 희생층을 에칭하여 제거한 후 상기 강유전체 게이트를 스탬프(stamp)에 접촉시켜 양측에 소스/드레인 영역이 형성된 반도체 채널층 및 고분자 접착층이 순서대로 적층되어 있는 플렉서블 기판 상으로 전사하고;상기 강유전체 게이트 하부의 고분자 접착층을 제외한 나머지 상기 고분자 접착층을 에칭하여 제거하고; 및상기 소스/드레인 영역 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 것: 을 포함하는, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 제 1 절연층 및 상기 2 절연층은 각각 독립적으로 TiO2, SrTiOx, ZrO2, LiNbO3, Al2O3 SiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 고분자 접착층은 PR(포토레지스트), 에폭시 수지, 사이톱(cytop), 폴리이미드(polyimide), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), PDMS(polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
23 23
기판 상에 희생층을 형성하고;상기 희생층 상에 반도체 채널층을 형성하고;상기 반도체 채널층을 패터닝하고 도핑하여 양측에 소스/드레인 영역을 형성하고;상기 소스/드레인 영역이 형성된 상기 반도체 채널층 상에 배리어층을 형성하고;상기 배리어층에 강유전체층을 형성하고;상기 배리어층 및 상기 강유전체층을 패터닝하고;상기 패터닝되어 형성된 강유전체층의 패턴 상에 보호층을 형성하고;상기 희생층을 에칭하여 제거한 후 상기 반도체 채널층, 상기 배리어층 및 상기 강유전체층을 플렉서블 기판 상으로 전사하고 상기 보호층을 제거하고;상기 반도체 채널층 및 상기 소스/드레인 영역 상에 소스/드레인 전극을 형성하고; 및 상기 강유전체층에 게이트 전극을 형성하는 것:을 포함하는, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서,상기 배리어층은 TiO2, SrTiOx, ZrO2, LiNbO3, Al2O3, SiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
25 25
제 23 항에 있어서,상기 보호층은 포토레지스트를 포함하는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
26 26
제 23 항에 있어서,상기 강유전체층은 진공증착법 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
27 27
기판 상에 희생층을 형성하고;상기 희생층 상에 반도체 채널층을 형성하고;상기 반도체 채널층을 패터닝하고 도핑하여 양측에 소스/드레인 영역을 형성하고;상기 드레인 영역 상에 배리어층을 형성하고;상기 배리어층 상에 강유전체층을 형성하고;상기 배리어층 및 상기 강유전체층을 패터닝하고;상기 강유전체층 상에 보호층을 형성하고;상기 희생층을 에칭하여 제거한 후 상기 반도체 채널층, 상기 배리어층 및 상기 강유전체층을 플렉서블 기판 상으로 전사하고 상기 보호층을 제거하고;상기 반도체 채널층 및 상기 강유전체층 상에 게이트 유전층을 형성하고; 및상기 소스/드레인 영역을 오픈하고 상부에 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극을 형성하는 것:을 포함하는, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
28 28
제 27 항에 있어서,상기 배리어층은 Pt, Ir, Ru, Rh, SrO, PdO, IrOx, RuOx, RhOx, OsOx 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
29 29
제 27 항에 있어서,상기 강유전체층은 진공증착법 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
30 30
제 27 항에 있어서,상기 보호층은 포토레지스트를 포함하는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101256632 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101315187 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101315270 KR 대한민국 FAMILY
4 US08729614 US 미국 FAMILY
5 US20110316059 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101256632 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR101315187 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 KR101315270 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
4 KR20130028769 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
5 KR20130028770 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
6 KR20130028957 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
7 US2011316059 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8729614 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 정부)지경부-산업기술평가관리원-산업원천기술 산업원천기술개발사업(3세부과제 참여기관) 멀티스케일 소자/패턴 전사공정 및 모듈화 기술 개발