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전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장제조방법

  • 기술번호 : KST2015145054
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔에 의해 국부적으로 열을 인가하여 수직 정렬 성장된 단일 탄소 나노튜브를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법은 Si 웨이퍼 또는 유리기판 위에 촉매물질인 나노 입자 혼합용액을 도포하는 단계(10); 상기 혼합용액의 나노 입자물질이 기판에 접착되도록 열처리하는 단계(20); 상기 열처리된 기판을 전자빔 발생장치의 챔버에 넣는 단계(30); 상기 챔버를 메탄과 수소의 혼합기체 분위기로 만들어 주는 단계; 및 탄소 나노튜브가 성장할 위치를 찾은 다음, 원하는 탄소 나노튜브의 성장 길이만큼의 시간동안 전자빔을 조사하여 단일 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(40)를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법은 촉매물질에 열을 인가할 때 전자빔을 이용함으로써 기판 전체가 아니라 탄소 나노튜브가 성장될 곳에 국부적으로 열반응이 일어나기 때문에 열이 약한 소재에도 탄소 나노튜브를 성장시킬 수 있고 원하는 특정 위치에만 단일 탄소 나노튜브를 성장시킬 수 있다는 장점이 있다. 탄소나노튜브, 전자빔, 수직성장
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01)
출원번호/일자 1020020073749 (2002.11.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0477506-0000 (2005.03.09)
공개번호/일자 10-2004-0045974 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20050317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 인천광역시계양구
2 최영진 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-0390025-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2004-0068955-32
4 등록결정서
Decision to grant		 2005.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0042536-45
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
Si 웨이퍼 또는 유리기판 위에 촉매물질인 나노 입자 혼합용액을 도포하는 단계(10); 상기 혼합용액의 나노 입자물질이 기판에 접착되도록 열처리하는 단계(20); 상기 열처리된 기판을 전자빔 발생장치의 챔버에 넣는 단계(30); 상기 챔버를 메탄과 수소의 혼합기체 분위기로 만들어 주는 단계; 및 단일 탄소 나노튜브가 성장할 위치에 전자빔을 조사하여 단일 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(40) 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 Si 웨이퍼 또는 유리기판 위에 도포되는 촉매물질인 나노 입자의 혼합 용액은 메탄올 15ml에 나노 사이즈의 알루미나(Alumina) 20mg과 Fe(NO3)3·9H2O 20mg 및 MoO(acac)2 2mg이 소정의 시간동안 혼합된 균질한 혼합 용액임을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 Si 웨이퍼 또는 유리기판 위에 도포되는 촉매물질인 나노 입자의 혼합 용액은 24시간 내외로 혼합되는 단계와; 상기 혼합된 용액이 1시간 동안 초음파 처리되는 단계를 포함하여 제조됨을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 촉매물질인 혼합용액의 나노 입자물질이 기판에 접착되도록 열처리하는 단계(20)는, 상기 기판에 도포된 나노 입자의 혼합 용액이 상온에서 용매 증발되도록 기판을 상온에서 방치하는 단계; 상기 용매증발된 기판을 열처리하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 용매증발된 기판을 열처리하는 단계에서는 상기 기판이 160℃∼180℃에서 5분 내외로 열처리되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 혼합기체는 99
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단일 탄소 나노튜브가 성장할 위치에 전자빔을 조사하여 단일 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(40)에서의 단일 탄소 나노튜브의 성장 길이는 전자빔의 강도 및 조사하는 시간에 따라 조절됨을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
8 7
제 1항에 있어서, 상기 단일 탄소 나노튜브가 성장할 위치에 전자빔을 조사하여 단일 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(40)에서의 단일 탄소 나노튜브의 성장 길이는 전자빔의 강도 및 조사하는 시간에 따라 조절됨을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 단일 탄소 나노튜브의 수직 정렬 성장 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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