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실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015145325
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명에 따른 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서는 연성 기판으로 형성되어 외부에서 인가되는 힘에 따라 기계적 변형으로 되는 멤브레인, 멤브레인의 기계적 변형에 따라 저항이 변화되는 실리콘 나노와이어 및 실리콘 나노와이어의 양측에 위치하는 복수의 전극을 포함한다.따라서, 본 발명에 따른 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서는 외부에서 가해지는 충격에도 강하며 고 감도인 힘 센서를 제공할 수 있으며, 실리콘 나노와이어에 불순물의 도핑농도를 조절함으로써 다양한 응용분야에 용이하게 적용할 수 있는 이점이 있다.또한, 본 발명에 따른 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서는 복수의 실리콘 나노와이어를 가지는 힘 센서를 형성할 수 있으며, 이때 형성되는 실리콘 나노와이어의 개수를 조절할 수 있어, 힘 센서의 감도를 용이하게 조절하고 단축에서 다축 감지도 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.실리콘 나노와이어, 멤브레인, 힘 센서
Int. CL	B82Y 40/00 (2011.01) G01L 1/20 (2011.01) G01L 1/18 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC	G01L 1/205(2013.01) G01L 1/205(2013.01) G01L 1/205(2013.01) G01L 1/205(2013.01) G01L 1/205(2013.01)
출원번호/일자	1020060087229 (2006.09.11)
출원인	전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2008-0023398 (2008.03.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.09.11)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자기술연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이국녕	대한민국	서울특별시 성북구
2	성우경	대한민국	경기도 성남시 분당구
3	정석원	대한민국	경기도 오산시 운암로 ***
4	김원효	대한민국	경기 용인시 기흥구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서천석	대한민국	서울특별시 서초구 서초중앙로길 , *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.09.11	수리 (Accepted)	1-1-2006-0653062-68
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.06.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.07.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0042186-44
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.08.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0465751-89
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2007.10.29	수리 (Accepted)	1-1-2007-0773005-92
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2007.10.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0772992-41
7	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2008.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0113597-77
8	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2008.04.28	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2008-0018003-77
9	심사전치출원의 심사결과통지서 Notice of Result of Reexamination	2008.06.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0312311-05
10	심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner	2008.07.11	수리 (Accepted)	7-8-2008-0022696-33
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 연성 기판으로 형성되어 외부에서 인가되는 힘에 따라 기계적 변형으로 되는 멤브레인;상기 멤브레인의 기계적 변형에 따라 저항이 변화되는 실리콘 나노와이어; 및 상기 실리콘 나노와이어의 양측에 위치하는 복수의 전극을 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
2	2 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어는 불순물이 도핑되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
3	3 제 1 항에 있어서,상기 멤브레인은 적어도 하나 이상의 고분자 물질인 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
4	4 제 1 항에 있어서,상기 멤브레인은 단층 또는 다층으로 형성된 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
5	5 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어는 적어도 하나 이상인 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
6	6 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어의 중앙부는 상기 멤브레인의 기계적 변형시 응력이 최대가 되는 곳에 위치하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
7	7 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어 및 상기 전극의 상부에 단층 또는 다층의 멤브레인이 형성된 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
8	8 제 5 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어는 어레이 형태로 배열된 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서
9	9 단결정 실리콘 기판을 이용하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계;상기 실리콘 나노와이어를 연성 물질로 형성된 멤브레인에 전사시키는 단계; 및 상기 실리콘 나노와이어의 양측에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서 제조방법
10	10 단결정 실리콘 기판을 이용하여 불순물이 도핑된 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계;상기 실리콘 나노와이어를 연성 물질로 형성된 멤브레인에 전사시키는 단계; 및 상기 실리콘 나노와이어의 양측에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서 제조방법
11	11 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어 및 상기 금속 전극이 형성된 멤브레인의 상부에 단층 혹은 다층의 멤브레인을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서 제조방법
12	12 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어를 멤브레인에 전사시키는 단계는, 반복적으로 수행하는 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서 제조방법

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.09.11	수리 (Accepted)	1-1-2006-0653062-68
2	선행기술조사의뢰서	2007.06.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.07.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0042186-44
4	의견제출통지서	2007.08.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0465751-89
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2007.10.29	수리 (Accepted)	1-1-2007-0773005-92
6	[명세서등 보정]보정서	2007.10.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0772992-41
7	거절결정서	2008.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0113597-77
8	명세서 등 보정서(심사전치)	2008.04.28	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2008-0018003-77
9	심사전치출원의 심사결과통지서	2008.06.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0312311-05
10	심사관의견요청서	2008.07.11	수리 (Accepted)	7-8-2008-0022696-33
11	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2008101002670	2008원2670	2006년 특허출원 제0087229호 거절결정불복심판	2008.03.28	2009.03.27

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