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필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145369
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 필름형 박막 형성 산화물이 증착되는 기판의 기공크기를 나노 스케일로 제어할 수 있는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법은 필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제3단계; 상기 제1다공질층을 제거하는 제4단계; 및 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제5단계를 포함한다. 다공질기판, 다공질층, 기공, 결정립, 양극산화
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02203(2013.01) H01L 21/02203(2013.01) H01L 21/02203(2013.01) H01L 21/02203(2013.01) H01L 21/02203(2013.01) H01L 21/02203(2013.01)
출원번호/일자 1020070068315 (2007.07.06)
출원인 전자부품연구원, 경기도
등록번호/일자 10-0919781-0000 (2009.09.24)
공개번호/일자 10-2009-0004254 (2009.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20091001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 경기도 대한민국 경기도 수원시 팔달구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성민 대한민국 경기 용인시 수지구
2 황학인 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경기도 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0495917-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061810-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2008-5176113-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0607224-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0053406-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0053530-21
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275108-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제3단계; 상기 제1다공질층을 제거하는 제4단계; 및 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제5단계 를 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 제2다공질층이 형성된 기판을 인산용액에 침지시켜 상기 제2다공질층의 기공 사이즈를 조절하는 단계 를 더 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법
4 4
필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 열처리하는 제3단계; 상기 열처리에 의해 생성된 산화알루미늄층을 제거하는 제4단계; 상기 산화알루미늄층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제5단계; 상기 제1다공질층을 제거하는 제6단계; 및 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제7단계 를 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법
5 5
삭제
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제 4항에 있어서, 상기 제2다공질층이 형성된 기판을 인산용액에 침지시켜 상기 제2다공질층의 기공 사이즈를 조절하는 단계 를 더 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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