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복합금속 나노입자의 제조방법 및 제조장치

  • 기술번호 : KST2015145503
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 건식법으로 금속 나노입자를 얻는 단계와, 기상에서 금속 나노입자 표면에 자기조립단분자층을 형성시켜 복합금속 나노입자를 얻는 단계와 상기 나노금속분말을 포집하는 단계를 일체화하여 인시츄(In-Situ)로 복합금속 나노입자를 제조하여 금속 표면산화를 방지하고 입자간 응집을 방지할 수 있는 복합금속 나노입자 제조방법 및 그 장치를 제공한다. 복합금속 나노입자, 산화 방지, 응집 방지
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01)
출원번호/일자 1020080108343 (2008.11.03)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1072266-0000 (2011.10.05)
공개번호/일자 10-2010-0049250 (2010.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영석 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 홍성제 대한민국 경기도 군포시 산
3 권순형 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0761393-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0027541-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603703-95
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0138617-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0138628-71
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564786-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
건식 공정에 의해 금속 나노입자를 얻는 단계; 인시츄(In-Situ)로, 상기 금속 나노입자 표면에 기화된 자기조립단분자층(SAM) 재료를 접촉시켜 복합금속 나노입자를 얻는 단계; 및 상기 복합금속 나노입자를 포집하는 단계;를 포함하여 이루어진 복합금속 나노입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 건식 공정은 IGC(Inert Gas Condensation)법, CVC(Chemical Vapor Condensation)법, 플라즈마법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 복합금속 나노입자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 자기조립단분자층(SAM) 재료는 탄소수 1 내지 20 범위내의 알칸티올, 알킬실란, 알킬 카복실레이트로 이루어지는 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 복합금속 나노입자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 인시츄(In-Situ)로 복합금속 나노입자를 얻는 단계는, 금속 나노입자 제조부에서 제조된 금속 나노입자가 기화된 자기조립단분자층(SAM) 재료가 존재하는 표면처리기에 주입되도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합금속 나노입자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 복합금속 나노입자의 제조방법
6 6
건식법으로 금속 나노입자를 제조하는 금속 나노입자 제조부; 금속 나노입자를 자기조립단분자층 재료로 표면처리하여 복합 금속 나노입자를 형성시키는 입자표면처리부; 및 복합 금속 나노입자를 포집하는 포집부;를 포함하여 이루어지고, 상기 입자표면처리부는 상기 금속 나노입자 제조부로부터 제조된 금속 나노입자가 유입되는 금속 나노입자 유입관 및 자기조립단분자층 재료를 기상으로 공급하는 재료 공급부가 연결되어 금속 나노입자 제조와 복합금속 나노입자 형성을 인시츄(In-Situ)로 수행할 수 있는 복합금속 나노입자 제조장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 공급부에는 캐리어 가스관이 연결된 것을 특징으로 하는 복합금속 나노입자 제조장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 성장동력/중기거점/차세대신기술개발사업 다이렉트 이미지 배선용 핵심기초소재기술 개발