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산화 실리콘 나노 입자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145870
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절연 및 접합을 위해 비등방성 도전 필름(Anisotropically Conductive Film, ACF)/비등방성 도전 페이스트(Anisotropically Conductive Adhesives, ACA) 및 솔더볼을 사용하여 칩과 기판을 서로 접합하는 플립칩 패키지에서, 솔더볼 접합부를 보호하기 위해 사용하는 언더필(underfill)의 유전 상수 및 열팽창계수를 낮추기 위하여 첨가하는 산화실리콘 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르는 산화 실리콘 나노 입자 제조 방법은, Si 성분이 포함된 콜로이드 형태의 원료 물질을 상온에서 유기 용매에 용해시켜 유기 용액을 제조하는 단계; 상기 유기 용액을 상기 유기 용매가 완전히 증발할 때까지 교반하여, 겔화된 화합물을 제조하는 단계; 상기 겔화된 화합물을 분말상태로 만든 후, 열처리하여 SiO2 분말을 생성하는 단계; 및 열처리된 SiO2 분말을 균일하게 분산시키는 단계를 포함하는 것을 구성적 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 33/18 (2006.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110078043 (2011.08.05)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0015806 (2013.02.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성제 대한민국 경기도 군포시
2 곽민기 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 조현민 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 이찬재 대한민국 서울특별시 강남구
5 김영석 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 김민선 대한민국 경기도 성남시 분당구
7 김종웅 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0605781-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0023107-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0286257-33
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0518197-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 성분이 포함된 콜로이드 형태의 원료 물질을 상온에서 유기 용매에 용해시켜 유기 용액을 제조하는 단계;상기 유기 용액을 상기 유기 용매가 완전히 증발할 때까지 교반하여, 겔화된 화합물을 제조하는 단계;상기 겔화된 화합물을 분말상태로 만든 후, 열처리하여 SiO2 분말을 생성하는 단계;열처리된 SiO2 분말을 균일하게 분산시키는 단계를 포함하는 산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 유기 용액의 교반은 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유기 용액의 교반은 8시간 이상 수행되는 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유기 용액은 금속과 유기물이 킬레이션된 상태인 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 유기물은 아세테이트(acetate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 옥살레이트(oxalate) 및 이들로부터 유도되는 산 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 유기 용매는 아세톤, 탄소수 1~4의 저급 알코올 및 글리콜 중에서 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,분말화된 상기 겔화된 화합물의 열처리는 300℃ 이하의 대기압 상태의 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 분위기에는 산소, 질소, 아르곤, 수소 중 하나 이상의 가스를 추가로 주입할 수 있는 것을 특징으로 하는산화 실리콘 나노 입자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 전략기술개발사업 디지털 프린팅 원료소재의 청정 제조 공정 개발