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산화아연 나노와이어 기반의 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015145940
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기판을 마련하는 단계, 상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계, 상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계, 상기 ZnO 나노와이어 상에 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법과 이 방법에 의하여 표면 처리된 구조물의 구성을 개시한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020120013473 (2012.02.09)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1315054-0000 (2013.09.30)
공개번호/일자 10-2013-0092034 (2013.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20131008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 충북 청원군
2 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김성현 대한민국 경기 용인시 수지구
4 이철승 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 김선민 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0107417-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0044605-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0439250-69
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0757791-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0757794-18
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0788776-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0661248-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계;상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계;상기 ZnO 나노와이어 상에 테프론 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계;를 포함하고,상기 촉매층 형성 단계는0
2 2
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는200도의 hot plate위에서 10분 동안 굽는 단계인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 성장 단계는Polyethylenimine, ammonium chloride 몰농도가 각각 0
4 4
기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계;상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계;상기 ZnO 나노와이어 상에 테프론 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계;를 포함하고,상기 촉매층 형성 단계는액상 촉매를 마련하는 단계;상기 액상 촉매를 스핀 코터 또는 스프레이 코터 방식으로 상기 기판에 도포하는 단계;상기 액상 촉매가 도포된 기판을 200도의 hot plate위에서 10분 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법
5 5
기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계;상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계;상기 ZnO 나노와이어 상에 테프론 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계;를 포함하고,상기 성장 단계는Polyethylenimine, ammonium chloride 몰농도가 각각 0
6 6
제5항에 있어서,상기 성장 단계는적용될 제품의 광투과성이나 방수 또는 방오 특성에 따라 상기 ZnO 나노와이어의 성장 길이 조절을 위해 성장 시간이 조절되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법
7 7
기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계;상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계;상기 ZnO 나노와이어 상에 테프론 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계;를 포함하고,상기 코팅층 형성 단계는테프론 AF 1600:FC 50의 비율이 1:5 및 1:10인 두 가지 용액을 혼합한 혼합액을 마련하는 단계;상기 혼합액을 스핀코터 방식으로 상기 ZnO 나노와이어 상에 도포하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 촉매층 형성 단계는액상 촉매를 마련하는 단계;상기 액상 촉매를 스핀 코터 또는 스프레이 코터 방식으로 상기 기판에 도포하는 단계;상기 액상 촉매가 도포된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 국가플랫폼기술개발사업 액상공정 기반 나노구조체 제작 기술