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나노와이어를 제조함에 있어서,실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계;상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계;칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계;상기 제1열산화막을 제거하는 제4단계상기 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제5단계; 및상기 제2열산화막을 제거하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제6단계는 BOE에 의한 습식식각 또는 플라즈마 건식식각을 통해 이루어지는 나노와이어 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어의 단면 크기 조절은 상기 제2열산화막 형성 시간을 조절함으로써 이루어지는 나노와이어 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 지지기둥 구조물은 상기 나노와이어의 한쪽 끝 또는 양쪽 끝과 연결된 구조인 나노와이어 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 지지기둥 구조물과 나노와이어의 연결부분은 제2열산화막 제거 후 스트레스가 집중되어 가해지는 나노와이어 제조 방법
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6
나노와이어를 제조함에 있어서,실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계;상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계;칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계;상기 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제4단계;상기 실리콘 기판과 나노와이어 구조물의 상부면에 위치하는 산화막을 건식식각으로 제거하는 제5단계;상기 실리콘 기판에 제3열산화막을 형성하는 제6단계; 및상기 실리콘 기판과 나노와이어의 상부면에 위치하는 산화막을 제거하는 제7단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 제7단계는 플라즈마 건식식각을 통해 이루어지는 나노와이어 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 나노와이어의 단면 크기 조절은 상기 제2열산화막 및 제3열산화막 형성 시간을 조절함으로써 이루어지는 나노와이어 제조 방법
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9
제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 제2단계는 건식식각으로 이루어지는 나노와이어 제조 방법
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제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 제3단계는 이방성 식각 용액을 사용하여 습식식각하는 나노와이어 제조 방법
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제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 나노와이어의 단면은 역삼각형 구조인 나노와이어 제조 방법
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제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 나노와이어의 길이는 수 ㎛ 내지 수백 ㎛인 나노와이어 제조 방법
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13
제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 나노와이어와 상기 실리콘 기판 사이의 거리는 수십 ㎚ 내지 수 ㎛ 인 나노와이어 제조 방법
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14
제 13항에 있어서,상기 나노와이어와 실리콘 기판 사이의 거리는 건식식각된 칼럼구조의 깊이와 나노와이어 구조물 형성시 이용한 습식식각을 통한 실리콘 기판의 식각 정도에 의해 결정되는 나노와이어 제조 방법
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15
제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 나노와이어의 저항 및 전도성은 상기 실리콘 기판의 불순물의 도핑 농도 또는 주입되는 불순물의 종류에 의해 조절되는 나노와이어 제조 방법
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16
제 1항의 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계;산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계;상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계;상기 점착제를 제거하는 단계; 및상기 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계를 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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17
제 16항에 있어서,상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계는,상기 나노와이어를 상기 점착제에 점착시키는 과정; 및점착된 상기 나노와이어와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 과정을 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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18
제 17항에 있어서,점착된 상기 나노와이어와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 과정은 나노와이어와 지지기둥 구조물의 연결부분을 단절시키는 나노와이어 소자 제조 방법
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제 1항의 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계;상기 나노와이어를 산화막이 형성된 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계; 및상기 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계를 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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20
제 19항에 있어서,상기 나노와이어를 산화막이 형성된 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계는,상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 본딩하는 과정; 및상기 본딩된 나노와이어와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 과정을 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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21
제 20항에 있어서,상기 본딩된 나노와이어와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 과정은 나노와이어와 지지기둥 구조물의 연결부분을 단절시키는 나노와이어 소자 제조 방법
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22
제 6항의 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계;산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계;상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계;상기 점착제를 제거하는 단계;상기 점착제가 제거된 제2 기판상의 나노와이어에 남아있는 산화막을 제거하는 단계; 및상기 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계를 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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제 16항 또는 제 22항에 있어서,상기 점착제는 포토레지스트, PDMS, 플렉시블 폴리머, 점착성 폴리머, 열적 리플로우 폴리머, 플렉시블 기판 및 점성 기판 중 어느 하나인 나노와이어 소자 제조 방법
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24
제 23항에 있어서,상기 점착제의 제거는 플라즈마 건식식각을 통해 이루어지는 나노와이어 소자 제조 방법
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제 6항의 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계;상기 나노와이어를 산화막이 형성된 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계;상기 트랜스퍼된 나노와이어에 남아있는 산화막을 제거하는 단계; 및상기 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계를 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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제 25항에 있어서,상기 나노와이어를 산화막이 형성된 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계는,상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 본딩하는 과정; 및상기 본딩된 나노와이어와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 과정을 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
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제 16항, 제 19항, 제 22항 및 제 25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 기판은 실리콘, 수정, 세라믹, 유리 및 폴리머 중 어느 하나인 나노와이어 소자 제조 방법
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