맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘 웨이퍼의 균질한 전기화학 에칭방법

  • 기술번호 : KST2015157722
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 균질한 전기화학 에칭방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명은 산, 증류수 및 이소프로판올을 포함하는 에칭 용액에 있어서, 이소프로판올의 함량을 특정 부피 분율로 한정함으로써, 에칭 용액의 점도를 최대화시킨 경우 실리콘 웨이퍼에 균질하게 전기화학 에칭을 수행할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01)
출원번호/일자 1020120108012 (2012.09.27)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1389839-0000 (2014.04.22)
공개번호/일자 10-2014-0043853 (2014.04.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.27)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조남희 대한민국 경기 부천시 원미구
2 김효한 대한민국 인천 동구
3 손종익 대한민국 대전 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0789815-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063547-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0556899-35
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0926338-21
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0926339-77
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0140055-73
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.03.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0307379-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0307378-85
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0267045-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산, 증류수 및 이소프로판올을 포함하는 에칭 용액을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1의 상기 에칭 용액으로 실리콘 웨이퍼 표면에 전기화학 에칭을 수행하는 단계(단계 2)를 포함하되, 단계 1의 상기 에칭 용액에 대한 이소프로판올의 부피분율을 33%로 조절하여 원뿔대 형상으로 실리콘 웨이퍼의 에칭 표면형상을 제어하거나, 또는단계 1의 상기 에칭 용액에 대한 이소프로판올의 부피 분율을 5% 또는 75%로 조절하여 스펀지 형상으로 실리콘 웨이퍼의 에칭 표면 형상을 제어하는 것을 특징으로 하는 형상제어방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,단계 1의 상기 산은 불산(HF) 및 불화암모늄(NH4F)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 불소계 산인 것을 특징으로 하는 형상제어방법
6 6
제1항에 있어서,단계 2의 상기 전기화학 에칭은 20 - 90 mA 범위의 전류밀도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 형상제어방법
7 7
제1항에 있어서,단계 2의 상기 전기화학 에칭은 10 - 45 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 형상제어방법
8 8
제1항에 있어서,단계 2의 상기 에칭 용액의 온도는 35 - 75 ℃인 것 특징으로 하는 형상제어방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 기본연구지원사업 집속전자빔을 이용한 광소자용 Si nanorods 성장기구