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물질의 결정 구조를 이용하여 패턴을 형성하기 위해 투과전자현미경을 변형한 장치에 있어서, 상기 물질을 통과하는 전자빔을 조사하는 전자총; 상기 전자총에 의해 조사되는 상기 전자빔을 집속하는 제1집속수단; 상기 전자빔을 일정한 지점에 집속시키는 제2집속수단; 상기 전자빔에 의해 통과되는 상기 물질을 탑재하기 위한 탑재수단; 상기 물질을 통과하면서 나뉘어지는 투과빔과 회절빔에 의해 격자 이미지를 형성하기 위한 형성수단; 상기 형성수단에 의해 형성된 상기 격자 이미지를 확대 또는 축소하기 위한 다수의 렌즈군; 및 상기 렌즈군 사이 또는 그 아래에 개제시켜 상기 물질의 격자 이미지를 피조사 물질에 일정한 크기의 패턴으로 형성할 수 있는 피조사 물질 이동장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 격자 이미지는 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 결정 구조를 갖는 상기 물질은 수십 나노미터 두께를 갖도록 처리하여 사용함을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 피조사 물질은 반도체기판임을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 피조사 물질 이동장치는 다수의 웨이퍼가 실장되는 웨이퍼 카세트를 포함하는 웨이퍼 이동장치이며, 웨이퍼는 상기 다수의 렌즈군 사이에 개제됨을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 반도체기판을 소스 영역과 드레인 영역이 형성된 기판위에 게이트 산화막이 형성되고, 그 위에 비정질 실리콘이 증착되며 그 위에 감광제가 형성된 것을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 집속을 위한 상기 제1집속수단은 콘덴서 렌즈임을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 집속을 위한 상기 제2집속수단은 대물렌즈임을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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물질의 결정 구조를 이용하여 패턴을 형성하기 위해 투과전자현미경을 변형한 장치에 있어서, 상기 물질을 통과하는 전자빔을 조사하는 전자총; 상기 전자총에 의해서 조사되는 전자빔을 일정 지점에 집속하는 수단; 상기 전자빔에 의해 통과되는 상기 물질을 탑재하기 위한 탑재수단; 상기 물질을 통과하면서 나뉘어지는 투과빔과 회절빔에 의해 격자 이미지를 형성하기 위한 형성수단; 상기 형성수단에 의해 형성된 상기 격자 이미지를 확대 또는 축소하기 위한 다수의 렌즈군; 및 상기 렌즈군 사이 또는 그 아래에 개제시켜 상기 물질의 격자 이미지를 피조사 물질에 일정한 크기의 패턴으로 형성할 수 있는 피조사 물질 이동장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 격자 이미지는 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 피조사 물질은 반도체 소자임을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 피조사 물질 이동장치는 다수의 웨이퍼가 실장되는 웨이퍼 카세트를 포함하는 웨이퍼 이동장치이며, 웨이퍼는 상기 다수의 렌즈군 사이에 개제됨을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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제 11 항에 있어서, 상기 반도체 소자는 소스 영역과 드레인 영역이 형성된 기판상에 게이트 산화막과 비정질 실리콘을 증착한 후, 감광제가 형성됨을 특징으로 하는 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 장치
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변형된 투과전자 현미경의 챔버내에 결정 구조를 갖는 물질을 위치시키는 단계; 상기 변형된 투과전자 현미경내의 상기 물질에 전자빔을 조사하는 단계; 피조사 물질의 표면상에 상기 물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭을 이용한 결과로써 형성된 상기 물질의 격자 이미지로부터 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크로써 재료의 결정 구조를 이용하여 패턴을 형성하는 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 격자 이미지는 위상 콘트라스트 영상법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 마스크로써 재료의 결정 구조를 이용하여 패턴을 형성하는 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 피조사 물질은 감광 물질임을 특징으로 하는 마스크로써 재료의 결정 구조를 이용하여 패턴을 형성하는 방법
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변형된 투과전자 현미경의 챔버내에 결정 구조를 갖는 물질을 위치시키는 단계; 상기 변형된 투과전자 현미경내의 상기 물질에 전자빔을 조사하는 단계; 반도체 기판상의 감광 물질의 표면상에 상기 물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭을 이용한 결과로써 형성된 상기 물질의 격자 이미지로부터 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광물질을 패터닝하는 단계; 플라즈마 공정을 사용하여 반도체 기판상의 상기 물질을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크로써 재료의 결정 구조를 이용하여 양자점을 형성하는 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 물질의 격자 이미지는 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 마스크로써 재료의 결정 구조를 이용하여 패턴을 형성하는 방법
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반도체 기판; 상기 반도체 기판에 위치되는 소오스 영역; 상기 반도체 기판에 위치되며 상기 소오스 영역으로부터 이격되는 드레인 영역; 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이에 위치되며, 패터닝 마스크로써 물질의 결정구조를 이용하여 실리콘층을 패터닝하여 형성되는 상기 반도체 기판 영역상의 양자점 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 19 항에 있어서, 상기 물질의 격자 이미지는 위상 콘트라스트 영상법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자
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