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고 전계 이동도 트랜지스터의 오프셋 광폭 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015159233
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HEMT 소자의 광폭 식각방법에 관한 것으로, 채널층, 베리어층, 캡층 및 소스와 드레인 전극이 형성된 반도체 기판상에 광폭 식각 영역을 정의하기 위하여 제1패턴을 형성하는 단계, 상기 제1패턴을 마스크로 광폭 식각 영역의 캡층 일부를 식각하는 단계, 상기 반도체 기판상에 게이트 영역을 정의하기 위하여 제2패턴을 형성하는 단계, 상기 제2패턴을 마스크로 게이트 영역의 캡층을 모두 식각하는 단계 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것으로 상기 광폭 식각 영역은 상기 게이트와 드래인의 사이에 정의되나, 게이트와 이격되게 형성한다. 따라서, 본 발명은 게이트와 소스 사이의 저항 증가현상이 억제되어 트랜지스터 본래의 높은 전류 밀도를 유지할 수 있으며, 항복 전압 특성을 향상시킬 수 있는 HEMT 소자 광폭 식각 방법을 제공할 수 있다. 고 전계 이동도 트랜지스터(HEMT), 광폭 식각, 항복전압
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020050118372 (2005.12.06)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0695670-0000 (2007.03.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장경철 대한민국 충북 청주시 상당구
2 서광석 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박정학 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, ****호(역삼동, 아남타워)(넥스트원국제특허법률사무소)
2 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
3 박윤성 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 서천석국제특허법률사무소 (서초동, 카이스시스템빌딩)
4 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0712765-29
2 보정요구서
Request for Amendment		 2005.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0124958-46
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0727133-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0664424-97
5 의견서
Written Opinion		 2007.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0037105-96
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0037093-25
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0127071-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
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채널층, 베리어층, 캡층 및 소스와 드레인 전극이 형성된 반도체 기판상에 광폭 식각 영역을 정의하기 위하여 제1패턴을 형성하는 단계;상기 제1패턴을 마스크로 광폭 식각 영역의 캡층 일부를 식각하는 단계;상기 반도체 기판상에 게이트 영역을 정의하기 위하여 제2패턴을 형성하는 단계;상기 제2패턴을 마스크로 게이트 영역의 캡층을 모두 식각하는 단계;게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 HEMT 소자의 오프셋 광폭 식각방법
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제1항에 있어서,상기 광폭 식각 영역은 상기 게이트와 드래인의 사이에 정의되나, 게이트와 이격되게 형성하는 HEMT 소자의 오프셋 광폭 식각 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 광폭 식각 영역은, 게이트와 0㎛초과 0
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제1항에 있어서,상기 제1패턴 및 제2패턴은 양성 감광막 또는 양성 전자빔 레지스트로 형성하는 HEMT 소자의 오프셋 광폭 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 GaAs계, InP계 등의 Ⅲ-Ⅴ족 기판 중 어느 하나인 HEMT 소자의 오프셋 광폭 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.