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AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법

  • 기술번호 : KST2015136825
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 AlGaN/GaN HEMT에 SF6 플라즈마 처리를 적용하여 게이트 누설전류, 문턱전압 이하의 특성, 그리고 전류감쇄현상을 개선하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법은 SF6 플라즈마 처리의 에칭을 통해, GaN 표면을 고온의 오믹 열처리하는 동안 보호하기 위해 증착된 SiNx 사전(pre) 프리베이션층을 오믹 공정이 끝난 후 제거하고, GaN 표면을 처리한 다음, ICP-CVD을 이용하여 in-situ N2 플라즈마 전처리 후, SiNx 패시베이션층을 재증착하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020150026309 (2015.02.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0100574 (2015.09.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140021929   |   2014.02.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울특별시 강남구
2 이능희 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형근 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** *층, *층 (역삼동,옥신타워)(성화국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0185557-67
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0051093-13
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0246411-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0005848-60
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0389794-81
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0708878-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0708937-16
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0861491-02
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1~5분 동안의 SF6 플라즈마 처리의 에칭을 통해, GaN 표면을 고온의 오믹 열처리하는 동안 보호하기 위해 증착된 SiNx 사전(pre) 패시베이션층을 오믹 공정이 끝난 후 제거함과 동시에, GaN 표면을 처리하되,상기 SiNx 사전 패시베이션층을 제거한 다음 ICP-CVD을 이용하여 350℃에서 in-situ N2 플라즈마 전처리 후, SiNx 패시베이션층을 재증착하고,상기 SF6 플라즈마 처리는 SF6 플라즈마 에칭 장비에 인가하는 DC 바이어스 수치가 낮은 소프트 플라즈마 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 SiNx 패시베이션층을 SF6 플라즈마 처리로 에칭하여 SiNx 패시베이션층에 게이트 영역을 형성한 후, 게이트 금속을 증착하는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법
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제4항에 있어서,상기 게이트 금속은 쇼트키 게이트 금속인 Ni/Au인 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서,상기 게이트 금속을 증착한 다음 두 번째 패시베이션층으로 ICP-CVD를 이용하여 SiNx를 추가 증착한 후, 400℃ PGA를 수행하는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.